[發(fā)明專利]測試結(jié)構(gòu)及其測試方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011106814.5
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN111933619B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周山;王麗雅;俞佩佩
• 申請（專利權(quán)）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66;G01R31/28
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

第一金屬層，所述第一金屬層中形成有第一導(dǎo)電路徑和第二導(dǎo)電路徑；

介質(zhì)層，至少填充在所述第一導(dǎo)電路徑和所述第二導(dǎo)電路徑之間，用于當(dāng)所述介質(zhì)層暴露于含堿離子的環(huán)境時，堿離子擴散至所述介質(zhì)層中；

鈍化層，覆蓋在所述第一金屬層和所述介質(zhì)層上；

第一接觸墊和第二接觸墊，分別連接所述第一導(dǎo)電路徑和所述第二導(dǎo)電路徑，用于對所述第一接觸墊和所述第二接觸墊施加電信號，并根據(jù)反饋回的反饋信號判斷所述鈍化層是否發(fā)生破裂。

2.如權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電路徑順應(yīng)所述第二導(dǎo)電路徑并行設(shè)置，以構(gòu)成測試電容；以及，所述反饋信號為所述測試電容的電容值，當(dāng)所述電容值低于設(shè)定值時，則判斷所述第一導(dǎo)電路徑和所述第二導(dǎo)電路徑之間的介質(zhì)層中擴散有堿離子，進而判斷所述鈍化層破裂。

3.如權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電路徑包括至少一個第一導(dǎo)電環(huán)，所述第二導(dǎo)電路徑包括至少一個第二導(dǎo)電環(huán)，所述至少一個第一導(dǎo)電環(huán)和所述至少一個第二導(dǎo)電環(huán)同心設(shè)置，并且所述第一導(dǎo)電環(huán)和所述第二導(dǎo)電環(huán)交替排布。

4.如權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電路徑包括至少一條第一導(dǎo)電線，所述第二導(dǎo)電路徑包括至少一條第二導(dǎo)電線；

其中，所述第一導(dǎo)電線緊鄰第二導(dǎo)電線并順應(yīng)所述第二導(dǎo)電線延伸設(shè)置；或者，所述第二導(dǎo)電線緊鄰所述第一導(dǎo)電線并順應(yīng)所述第一導(dǎo)電線延伸設(shè)置。

5.如權(quán)利要求4所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電線和所述第二導(dǎo)電線均具有彎折結(jié)構(gòu)，并由彎折結(jié)構(gòu)還界定出鏤空區(qū)；

以及，所述第一導(dǎo)電線的彎折結(jié)構(gòu)穿插至所述第二導(dǎo)電線的鏤空區(qū)中；和/或，所述第二導(dǎo)電線的彎折結(jié)構(gòu)穿插至所述第一導(dǎo)電線的鏤空區(qū)中。

6.如權(quán)利要求5所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電線和第二導(dǎo)電線的彎折結(jié)構(gòu)的彎折角度為90°。

7.如權(quán)利要求4所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電路徑包括多條第一導(dǎo)電線，所述第二導(dǎo)電路徑包括多條第二導(dǎo)電線，以及至少一條第一導(dǎo)電線和至少一條第二導(dǎo)電線組合構(gòu)成一個測試區(qū)塊，并由所述多條第一導(dǎo)電線和所述多條第二導(dǎo)電線組合構(gòu)成多個測試區(qū)塊。

8.如權(quán)利要求7所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個測試區(qū)塊中的其中兩個區(qū)塊沿著第一方向延伸，以及所述多個測試區(qū)塊中的其他區(qū)塊沿著第二方向延伸，并排布在所述其中兩個區(qū)塊之間。

9.如權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電路徑包括至少一個第一導(dǎo)電環(huán)和至少一條第一導(dǎo)電線，所述第一導(dǎo)電線連接至所述第一導(dǎo)電環(huán)，所述第一導(dǎo)電環(huán)連接至所述第一接觸墊；

以及，所述測試結(jié)構(gòu)還包括第二金屬層和多個接觸插塞，所述第二金屬層設(shè)置在所述第一金屬層的下方，以及所述第二金屬層中形成有第一連接線，所述第一導(dǎo)電線和所述第一導(dǎo)電環(huán)之間、所述第一導(dǎo)電環(huán)和所述第一接觸墊之間均通過所述接觸插塞和所述第一連接線相互連接。

10.如權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二導(dǎo)電路徑包括至少一個第二導(dǎo)電環(huán)和至少一條第二導(dǎo)電線，所述第二導(dǎo)電線連接至所述第二導(dǎo)電環(huán)，所述第二導(dǎo)電環(huán)連接至所述第二接觸墊；

以及，所述測試結(jié)構(gòu)還包括第二金屬層和多個接觸插塞，所述第二金屬層設(shè)置在所述第一金屬層的下方，以及所述第二金屬層中形成有第二連接線，所述第二導(dǎo)電線和所述第二導(dǎo)電環(huán)之間、所述第二導(dǎo)電環(huán)和所述第二接觸墊之間均通過所述接觸插塞和所述第二連接線相互連接。

11.一種測試方法，其特征在于，包括：

提供如權(quán)利要求1-10任一項所述的測試結(jié)構(gòu)；

將所述測試結(jié)構(gòu)置于含堿離子的環(huán)境中；以及，

對所述測試結(jié)構(gòu)中的所述第一接觸墊和所述第二接觸墊施加電信號，并根據(jù)反饋回的反饋信號判斷測試結(jié)構(gòu)中的鈍化層是否發(fā)生破裂。