[發明專利]一種溝槽的形成方法

有效

• 申請號: 202011106813.0
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN111933574B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 陶磊;王厚有;馮永波;蔡明洋;陳文俊
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種溝槽的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底包括像素區和邏輯區；

在所述襯底上依次形成第一氧化層和第一硬掩膜層；

進行第一干法刻蝕工藝，在所述像素區的所述襯底上形成第一溝槽，所述第一溝槽包括第一開口和第二開口，所述第一開口貫穿所述第一氧化層和所述第一硬掩膜層，所述第二開口為所述第一開口在所述襯底中的延伸；

在所述第一溝槽內沉積第二氧化層形成第一溝槽阻擋結構；

進行第二干法刻蝕工藝，刻蝕所述第一溝槽阻擋結構和所述邏輯區上的第一硬掩膜層和第一氧化層，在所述像素區上形成第三開口，同時在所述邏輯區上形成第四開口；以及，

進行第三干法刻蝕工藝，刻蝕所述第三開口下方的第一溝槽阻擋結構和所述邏輯區的襯底，所述第三開口向下延伸形成第五開口，所述第四開口向下延伸至所述襯底中以在所述邏輯區上形成第二溝槽；

其中，所述第五開口的深度小于所述第一溝槽的深度，且所述第一溝槽的深度小于所述第二溝槽的深度。

2.如權利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述第一開口的底部的寬度大于或等于所述第二開口的頂部的寬度。

3.如權利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蝕工藝中，所述第一溝槽阻擋結構的刻蝕速率大于所述第一硬掩膜層的刻蝕速率。

4.如權利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述第一溝槽阻擋結構采用高深寬比工藝生長工藝形成。

5.如權利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，形成第一氧化層和第一硬掩膜層之后，進行第一干法刻蝕工藝之前，還包括：

在所述第一硬掩膜層上形成具有第一光刻膠開口的第一光刻膠層，所述第一光刻膠開口位于所述像素區上。

6.如權利要求5所述的溝槽的形成方法，其特征在于，進行第一干法刻蝕工藝之后，形成第一溝槽阻擋結構之前，還包括：

對所述第一開口進行回刻蝕，以增大所述第一開口的寬度。

7.如權利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，形成第一溝槽阻擋結構之后，形成所述第二溝槽之前，還包括：

在所述第一溝槽阻擋結構和所述第一硬掩膜層上形成具有第二光刻膠開口和第三光刻膠開口的第二光刻膠層，所述第二光刻膠開口位于第一溝槽阻擋結構上，所述第三光刻膠開口位于所述邏輯區的所述第一硬掩膜層上。

8.如權利要求7所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述第二光刻膠開口的寬度小于所述第一溝槽的底部寬度。

9.如權利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，形成所述第一溝槽和所述第二溝槽之后，還包括：

在所述第一溝槽和所述第二溝槽內沉積第三氧化層，在所述第一溝槽中形成第一溝槽隔離結構，同時在所述第二溝槽中形成第二溝槽隔離結構。

10.如權利要求9所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述第三氧化層采用高深寬比工藝生長形成。