[發明專利]一種用于SiC晶片減薄的陶瓷金剛石砂輪及其制造方法有效
| 申請號: | 202011106772.5 | 申請日: | 2020-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN113997213B | 公開(公告)日: | 2023-06-20 |
| 發明(設計)人: | 徐燕軍;李亞朋;尹翔;劉偉;曹彩婷;劉一波 | 申請(專利權)人: | 安泰科技股份有限公司;北京安泰鋼研超硬材料制品有限責任公司 |
| 主分類號: | B24D3/18 | 分類號: | B24D3/18;B24D18/00;B24D7/06;B28B1/50;B28B11/24 |
| 代理公司: | 北京知聯天下知識產權代理事務所(普通合伙) 11594 | 代理人: | 張陸軍;張迎新 |
| 地址: | 100081 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 sic 晶片 陶瓷 金剛石砂輪 及其 制造 方法 | ||
1.一種用于SiC晶片減薄的陶瓷金剛石砂輪,所述砂輪包括刀頭和基體,其特征在于,所述刀頭包括陶瓷結合劑20-30份、金剛石磨料40-60份、填料10-20份;
其中,所述陶瓷結合劑包括二氧化硅45-60wt%,氧化鋁5-15wt%,氧化硼10-20wt%,氧化鈉8-10wt%,氧化鈣5-10wt%,氧化鋰2-5wt%,wt%表示為重量百分比;
所述刀頭氣孔率為60-90Vol%。
2.根據權利要求1所述的用于SiC晶片減薄的陶瓷金剛石砂輪,其特征在于,所述填料為碳化硅或剛玉。
3.根據權利要求1所述的用于SiC晶片減薄的陶瓷金剛石砂輪,其特征在于,氣孔孔徑為100-500μm,其中,Vol%表示為體積分數。
4.根據權利要求1所述的用于SiC晶片減薄的陶瓷金剛石砂輪,其特征在于,所述砂輪外徑為200-300mm,內徑為150-200mm;所述刀頭設置30-80個并間距排列形成圓弧狀。
5.一種用于SiC晶片減薄的陶瓷金剛石砂輪制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
步驟a、配混料:將陶瓷結合劑、金剛石磨料、填料按照重量比稱取,在超聲的作用下加入到有機單體溶液中制備預混液,攪拌均勻后加入分散劑,將加入分散劑的混合溶液進行行星球磨,形成漿料;其中,所述混合溶液放入500ml剛玉球磨罐中行星球磨12h,轉速200rpm,制成固含量為30-50%的漿料;
步驟b、成型:將所述步驟a中得到的所述漿料中加入發泡劑和引發劑,攪拌發泡后,得到泡沫體,然后將所述泡沫體注入到模具中進行固化成型;
步驟c、燒結:將所述步驟b中的固化后的所述泡沫體脫模,然后放入馬弗爐中在設定工藝下進行干燥和燒成,得到多孔陶瓷金剛石刀頭;
步驟d、粘接:將所述多孔陶瓷金剛石刀頭粘貼在基體上形成多孔陶瓷金剛石砂輪;
步驟e、修磨:對所述多孔陶瓷金剛石砂輪進行內外圓修整和修平處理,并進行所述多孔陶瓷金剛石砂輪平衡、外觀和尺寸的檢測。
6.根據權利要求5所述的用于SiC晶片減薄的陶瓷金剛石砂輪制造方法,其特征在于,步驟c中固化后的所述泡沫體在馬弗爐中的燒成溫度低于700℃。
7.根據權利要求6所述的用于SiC晶片減薄的陶瓷金剛石砂輪制造方法,其特征在于,步驟c中所述多孔陶瓷金剛石刀頭燒成工藝曲線為,第一段升溫速率為≤2℃/min,到排膠階段保溫120min,以保證坯體中有機物充分分解以及水分充分排出,避免坯體開裂;第二段升溫速率為4℃/min,最終燒成溫度為680℃,保溫120min,后隨爐冷卻,得到多孔陶瓷金剛石刀頭。
8.根據權利要求5所述的用于SiC晶片減薄的陶瓷金剛石砂輪制造方法,其特征在于,步驟c中,為了方便固化后的所述泡沫體脫模,需要在模具中提前涂抹石墨乳脫模劑。
9.根據權利要求5所述的用于SiC晶片減薄的陶瓷金剛石砂輪制造方法,其特征在于,步驟d中,所述基體為鋁基體,所述多孔陶瓷金剛石刀頭通過環氧樹脂膠與所述鋁基體粘接固定。
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