[發明專利]一種碳布負載SiO2 在審
| 申請號： | 202011106686.4 | 申請日： | 2020-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN112234204A | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發明（設計）人： | 費杰;王娜;黃劍鋒;曹麗云;許占位;李嘉胤;鄭欣慧;李盟 | 申請（專利權）人： | 陜西科技大學 |
| 主分類號： | H01M4/62 | 分類號： | H01M4/62;H01M4/48;H01M10/0525;H01M10/054 |
| 代理公司： | 西安眾和至成知識產權代理事務所(普通合伙) 61249 | 代理人： | 張美松 |
| 地址： | 710021*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 負載 sio base sub | ||
1.一種碳布負載SiO2包覆Sb2O5復合自支撐電極材料的制備方法，其特征在于，具體步驟包括：
步驟(1)：將0.57～0.9g三氯化銻和0.3～0.5g氫氧化鈉加入到20～30mL的去離子水中，得反應前驅液A；
步驟(2)：將0.25～1mL二氧化硅溶液加入到反應前驅液A中，得溶液B，將陽極氧化活化后的碳布置入溶液B中進行浸漬；
步驟(3)：將步驟(2)中的溶液B及浸漬后的碳布一并轉入反應容器內，于150～180℃條件下進行水熱反應12～48h，反應結束后冷卻至室溫，取出碳布，清洗、烘干，得碳布負載SiO2包覆Sb2O5復合自支撐電極材料。
2.根據權利要求1所述的碳布負載SiO2包覆Sb2O5復合自支撐電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中二氧化硅溶液的質量濃度為30％，pH值為9.1。
3.根據權利要求1所述的碳布負載SiO2包覆Sb2O5復合自支撐電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中陽極氧化活化所用電解質為20～25g/L的磷酸二氫銨，陽極氧化電壓為5V，陽極氧化時間為3～5min。
4.根據權利要求1所述的碳布負載SiO2包覆Sb2O5復合自支撐電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中碳布的浸漬時間為10～60min。
5.根據權利要求1所述的碳布負載SiO2包覆Sb2O5復合自支撐電極材料的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中的反應容器為均相反應儀，均相反應儀的轉速為10r/min。
6.根據上述任意一項權利要求所述制備方法制備所得的碳布負載SiO2包覆Sb2O5復合自支撐電極材料。
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