[發(fā)明專利]一種育苗基質(zhì)生產(chǎn)裝置、工藝及其生產(chǎn)的育苗基質(zhì)塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011106463.8
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112167008B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周晚來;戚智勇;林偉;張冬冬;楊睿;李杰;王虹;陳雪嬌
• 申請（專利權(quán)）人: 中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所
• 主分類號: A01G24/60
• 分類號: A01G24/60;A01G24/28;A01G24/15;A01G24/30;A01G24/44
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種育苗基質(zhì)生產(chǎn)裝置，其特征在于：包括模具主體(1)和壓塊(2)，所述模具主體(1)頂端敞口，所述壓塊(2)位于所述模具主體(1)正上方且與壓力機構(gòu)(3)相連接，在所述壓力機構(gòu)(3)的作用下，所述壓塊(2)在所述模具主體(1)內(nèi)豎直移動，在所述壓塊(2)上設(shè)置有滲水系統(tǒng)和微波發(fā)生裝置(4)；在所述模具主體(1)底面中央設(shè)置有種子孔模塊(6)，所述種子孔模塊(6)確定了種子孔的形狀和大?。凰鑫⒉òl(fā)生裝置(4)的微波場在垂直方向上的場強深度為模具主體高度的50％-80％；所述場強深度是指從壓塊的下表面到最大場強80％處的垂直距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種育苗基質(zhì)生產(chǎn)裝置，其特征在于：所述滲水系統(tǒng)包括均勻分布在壓塊(2)上的多個滲水口(5)，所述滲水口(5)連接供水系統(tǒng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種育苗基質(zhì)生產(chǎn)裝置，其特征在于：所述微波發(fā)生裝置(4)布置在壓塊(2)內(nèi)部且靠近下表面的位置，所述微波發(fā)生裝置(4)產(chǎn)生的微波場分布于壓塊(2)的下方。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種育苗基質(zhì)生產(chǎn)裝置，其特征在于：所述模具主體(1)由微波反射材料制成，所述壓塊(2)是由微波透過材料制成。

5.一種利用根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的裝置生產(chǎn)育苗基質(zhì)塊的工藝，包括如下步驟：

S101：原料準備，基質(zhì)原料由基質(zhì)顆?；旌衔?、熱熔固化纖維組成；

S102：裝料，將上述原料均勻混合，然后裝入模具主體內(nèi)，裝滿后刮平；

S103：加熱固化，啟動滲水系統(tǒng)和微波發(fā)生裝置，使水自上而下均勻潤濕基質(zhì)原料，在微波場的作用下，被潤濕的基質(zhì)原料急劇增溫，其中的熱熔固化纖維可控熔化，同時啟動壓力機構(gòu)控制壓塊均勻移動，壓縮基質(zhì)原料，使基質(zhì)原料相互粘合；對于非皮芯結(jié)構(gòu)的熱熔固化纖維，所述熱熔固化纖維可控熔化為所述熱熔固化纖維整體熔化，對于皮芯結(jié)構(gòu)的熱熔固化纖維，所述熱熔固化纖維可控熔化為所述熱熔固化纖維的皮層熔化；

從啟動微波發(fā)生裝置到關(guān)閉微波發(fā)生裝置的時間控制在3分鐘以內(nèi)，加熱結(jié)束時，上層基質(zhì)原料的溫度比熱熔固化纖維的目標熔點溫度高20-50℃，下層基質(zhì)原料的溫度比熱熔固化纖維的目標熔點溫度高0-5℃；對非皮芯結(jié)構(gòu)的熱熔固化纖維而言，所述目標熔點溫度是指纖維的熔點溫度，對皮芯結(jié)構(gòu)的熱熔固化纖維而言，所述目標熔點溫度是指纖維皮層的熔點溫度；

S104：冷卻成型，壓塊移動至一定程度后，關(guān)閉滲水系統(tǒng)、微波發(fā)生裝置和壓力機構(gòu)，冷卻、脫模，形成固化基質(zhì)塊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的工藝，其特征在于：步驟S103中，控制壓塊的移動距離，使原料的壓縮率為1.4-1.8之間，其中壓縮率＝初始原料的體積/最終基質(zhì)塊的體積。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的工藝，其特征在于：步驟S101中，所述基質(zhì)顆?；旌衔镉赡嗵?、珍珠巖、蛭石、作物秸稈粉碎物中的一種或幾種混合而成，控制上述原料的總體含水率低于10％；熱熔固化纖維是由兩種熱塑性聚合物通過復(fù)合紡絲按照皮芯型的結(jié)構(gòu)方式復(fù)合而成。

8.一種根據(jù)權(quán)利要求5-7任一項所述的工藝生產(chǎn)的育苗基質(zhì)，其特征在于：所述育苗基質(zhì)上表面是所述固化基質(zhì)的底面，所述育苗基質(zhì)的下表面是所述固化基質(zhì)的頂面，所述育苗基質(zhì)的下層密度是上層密度的1.05-1.2倍。