[發明專利]一種易于轉移的微型發光二極管的制造方法

在審

• 申請號: 202011106340.4
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN112397420A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 張有為;周宇;朱充沛;高威
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供一種易于轉移的微型發光二極管的制造方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上沉積外延層，在外延層上涂覆光阻層；在光阻層上涂覆犧牲層；將帶有第一膠緩沖層的第一玻璃襯底與犧牲層貼合；剝離掉藍寶石襯底；對外延層進行刻蝕，形成微型發光二極管陣列結構；將帶有第二膠緩沖層的第二玻璃襯底與微型發光二極管陣列結構貼合；剝離掉第一膠緩沖層；對犧牲層和光阻層進行刻蝕；對第二膠緩沖層進行解膠；將微型發光二極管與一基板鍵合區進行鍵合；剝離網狀的犧牲層和光阻層。本發明通過光阻層和犧牲層形成網狀結構，將轉移前的Micro LED彼此連接，Micro LED轉移后使Micro LED彼此獨立的留在基板上，該方法不僅可以提高Micro LED轉移良率，而且增加了轉移精度。

技術領域

本發明涉及LED封裝的技術領域，特別涉及一種易于轉移的微型發光二極管的制造方法。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode，簡稱LED)是一種可以把電能轉化成光能的半導體二極管，具有體積小、亮度高和能耗小的特點，被廣泛應用在顯示器和照明領域。微型發光二極管(簡稱Micro LED)是大小達到微米級的LED。

Micro LED顯示器具有高效率、高亮度、高可靠度、節能、體積小和厚度小等優勢，是新一代顯示技術。Micro LED顯示器制作過程中，需要將外延層經過一系列工藝制作成一顆一顆的LED，然后將其轉移到驅動基板上。因為Micro LED的尺寸特別小，若形成MicroLED顯示器需要把幾百萬顆的micro LED從生長基板上進行拾取，然后放置在驅動基板上。目前主流的轉移技術是通過制作轉移頭，通過靜電力、磁力或者其他力將micro LED吸取，再通過釋放掉吸取力，實現micro LED的轉移，但這種方法是每顆LED獨立轉移，每顆LED的轉移結果都有可能不一致，偏移，高度差，受力不均等都會大大降低轉移率，如何改善轉移效果，是目前面臨的一個難題。

發明內容

本發明的目的是提供易于轉移的微型發光二極管的制造方法，旨在解決現有微型發光二極管巨量轉移存在轉移精度不高等問題。

本發明提供一種易于轉移的微型發光二極管的制造方法，包括如下步驟：

S1：首先在藍寶石襯底上沉積外延層，然后在所述外延層上涂覆光阻層；

S2：在步驟S1的基礎上，在所述光阻層上涂覆犧牲層；

S3：提供一第一玻璃襯底和位于該第一玻璃襯底上的第一膠緩沖層，將帶有第一膠緩沖層的第一玻璃襯底與步驟S2形成的犧牲層貼合；

S4：在步驟S3的基礎上，剝離掉藍寶石襯底；

S5：在步驟S4的基礎上，對所述外延層進行刻蝕，形成微型發光二極管陣列結構；

S6：提供一第二玻璃襯底和位于該第二玻璃襯底上的第二膠緩沖層，將帶有第二膠緩沖層的第二玻璃襯底與步驟S5形成的微型發光二極管陣列結構貼合；

S7：在步驟S6的基礎上，剝離掉第一膠緩沖層和第一玻璃襯底，暴露出犧牲層；

S8：在步驟S7的基礎上，對犧牲層和光阻層進行刻蝕，形成網狀結構，使得相鄰的微型發光二極管彼此連接；

S9：在步驟S8的基礎上，對所述第二膠緩沖層進行解膠，使得第二膠緩沖層和第二玻璃襯底從微型發光二極管陣列結構處脫離；

S10：提供一帶有鍵合區的基板，將步驟S9形成的微型發光二極管與基板的鍵合區進行鍵合；

S11：在步驟S10的基礎上，剝離網狀的犧牲層和光阻層，使微型發光二極管彼此獨立的留在基板上。

進一步，所述犧牲層采用易于刻蝕的鈦或錫。

進一步，所述第一膠緩沖層和第二膠緩沖層采用紫外光固化膠或熱敏膠。