[發(fā)明專利]基于鈣鈦礦Cs2

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011105376.0
• 申請日: 2020-10-15
• 公開（公告）號: CN112268937B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 路建美;賀競輝;葉文
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號: G01N27/12
• 分類號: G01N27/12
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 孫周強(qiáng);陶海鋒

1.鈣鈦礦Cs₂PdBr₆納米中空球在制備一氧化碳傳感器中的應(yīng)用。

2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用，其特征在于，所述一氧化碳傳感器包括膜材料和叉指電極；所述膜材料的厚度為10~100 μm。

3.鈣鈦礦Cs₂PdBr₆納米中空球在制備一氧化碳傳感器膜材料中的應(yīng)用；所述膜材料的厚度為10~100 μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的應(yīng)用，其特征在于，將鈣鈦礦Cs₂PdBr₆、溶劑、叔丁醇攪拌，得到鈣鈦礦Cs₂PdBr₆納米中空球；所述溶劑為N,N-二甲基甲酰胺與二甲基亞砜的混合溶劑；在制備膜材料時(shí)，加熱的溫度為40～70℃，時(shí)間為1～3min。

5.一種基于鈣鈦礦Cs₂PdBr₆納米中空球的一氧化碳傳感器，包括膜材料和叉指電極；所述膜材料為鈣鈦礦Cs₂PdBr₆納米中空球?qū)印?/p>

6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述基于鈣鈦礦Cs₂PdBr₆納米中空球的一氧化碳傳感器，其特征在于：所述叉指電極以氧化鋁為基底，所述基底上設(shè)置銀-鈀合金；所述膜材料的厚度為10~100 μm。

7.權(quán)利要求5所述基于鈣鈦礦Cs₂PdBr₆納米中空球的一氧化碳傳感器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：將鈣鈦礦Cs₂PdBr₆納米中空球溶液涂在叉指電極上，加熱，制備基于鈣鈦礦Cs₂PdBr₆的一氧化碳傳感器。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述基于鈣鈦礦Cs₂PdBr₆納米中空球的一氧化碳傳感器的制備方法，其特征在于，將鈣鈦礦Cs₂PdBr₆、溶劑、叔丁醇攪拌，得到鈣鈦礦Cs₂PdBr₆納米中空球；加熱的溫度為40～70℃，時(shí)間為1～3min。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述基于鈣鈦礦Cs₂PdBr₆納米中空球的一氧化碳傳感器的制備方法，其特征在于，所述溶劑為N,N-二甲基甲酰胺與二甲基亞砜的混合溶劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述基于鈣鈦礦Cs₂PdBr₆納米中空球的一氧化碳傳感器的制備方法，其特征在于：將溴化銫和溴化鈀溶于溴化氫溶液中加熱反應(yīng)，制備鈣鈦礦Cs₂PdBr₆。

11.權(quán)利要求5所述基于鈣鈦礦Cs₂PdBr₆的一氧化碳傳感器在檢測一氧化碳中的應(yīng)用。