[發明專利]充電電路

有效

• 申請號: 202011104718.7
• 申請日: 2020-10-15
• 公開（公告）號: CN111934404B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 王本川
• 申請（專利權）人: 北京思凌科半導體技術有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00
• 代理公司: 北京英創嘉友知識產權代理事務所(普通合伙) 11447
• 代理人: 賈會玲

本公開涉及一種充電電路，該充電電路包括：恒壓充電模塊和恒流充電模塊，恒壓充電模塊與恒流充電模塊相連；恒壓充電模塊用于獲取待充電裝置的當前電壓大小，并確定待充電裝置的當前電壓是否小于參考電壓，在確定當前電壓小于參考電壓的情況下，產生用于指示恒流充電模塊對待充電裝置進行恒流充電的控制指令；恒流充電模塊用于響應于控制指令，根據恒定充電電流對待充電裝置進行恒流充電。如此，利用簡單的LDO結構即可實現對待充電裝置的充電終止電壓精確可控，達到充分利用待充電裝置容量而不過沖的目的。并且，實現了充電電流可控的目的，進而可以有效避免充電初期電流過大從而導致的待充電裝置內部溫度過高影響壽命的問題。

技術領域

本公開涉及集成電路設計技術領域，具體地，涉及一種充電電路。

背景技術

寬帶電力線載波HPLC通信模塊中，需要利用超級電容充放電管理機制來實現停電上報的功能。超級電容充電一般采用恒流(CC)恒壓(CV)的充電方式，該方式在充電初期采用恒定的大電流充電，當電容電壓達到預設充電終止電壓時，此時充電電流減小至零，并維持預設充電終止電壓不變，即從恒流模式轉換到恒壓模式。

然而，在相關技術中僅能實現對待充電裝置（例如超級電容）進行恒壓充電。在相關技術中對待充電裝置進行恒壓充電時，需要增加專用的充電芯片，專用的充電芯片在過壓時，起到保護的作用，但是這種芯片成本極高，且不能實現對待充電裝置進行恒流充電的目的。

發明內容

本公開的目的是提供一種充電電路，以解決相關技術中存在的問題。

為了實現上述目的，本公開提供一種充電電路，包括：恒壓充電模塊和恒流充電模塊，其中，所述恒壓充電模塊與所述恒流充電模塊相連；

所述恒壓充電模塊，用于獲取待充電裝置的當前電壓大小，并確定所述待充電裝置的當前電壓是否小于參考電壓，在確定所述當前電壓小于所述參考電壓的情況下，產生用于指示所述恒流充電模塊對所述待充電裝置進行恒流充電的控制指令；

所述恒流充電模塊，用于響應于所述控制指令，根據恒定充電電流對所述待充電裝置進行恒流充電。

可選地，所述恒壓充電模塊包括比較單元和分流支路，其中，所述比較單元和所述分流支路相連，所述分流支路與所述待充電裝置并聯；

所述比較單元，用于確定所述待充電裝置的當前電壓是否小于所述參考電壓，并在確定所述當前電壓小于所述參考電壓的情況下，控制所述分流支路斷開，以由所述恒流充電模塊根據所述恒定充電電流對所述待充電裝置進行恒流充電。

可選地，所述比較單元，還用于在確定所述當前電壓大于或等于所述參考電壓的情況下，控制所述分流支路導通，以通過所述分流支路對所述恒定充電電流進行分流；

所述恒流充電模塊，還用于根據分流后的充電電流對所述待充電裝置進行恒壓充電。

可選地，所述比較單元為運算放大器，所述分流支路為第一N型MOS管；

其中，所述運算放大器的同相輸入端連接所述待充電裝置的電壓輸入端，以獲取所述待充電裝置的當前電壓，所述運算放大器的反相輸入端連接參考電壓端，以獲取所述待充電裝置的參考電壓；

所述第一N型MOS管的柵極與所述運算放大器的輸出端相連，所述第一N型MOS管的漏極與所述恒流充電模塊相連，所述第一N型MOS管的源極接地。

可選地，所述恒流充電模塊包括：供電電源、電流偏置電路、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第一P型MOS管和第二P型MOS管；

所述電流偏置電路的一端與所述供電電源相連，以產生所述恒定充電電流；

所述電流偏置電路的另一端分別與所述恒壓充電模塊、所述第二N型MOS管的漏極和柵極、以及所述第三N型MOS管的柵極相連；