[發明專利]一種改善晶格損傷的方法在審
| 申請號： | 202011104593.8 | 申請日： | 2020-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN112233977A | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發明（設計）人： | 孟凡順;陳耀祖;陳忠奎;易芳;劉志攀 | 申請（專利權）人： | 廣州粵芯半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3105 | 分類號： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思捷知識產權代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市中新廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 晶格 損傷 方法 | ||
1.一種改善晶格損傷的方法，其特征在于，包括：
將晶圓放置在卡盤上，所述晶圓已完成等離子體刻蝕工藝，所述卡盤包括電極；
對所述晶圓進行第一次釋放靜電處理，以釋放所述晶圓上的部分電荷；
對所述晶圓進行第二次釋放靜電處理，所述電極對所述晶圓提供第一反向電壓，以釋放所述晶圓上的部分電荷；
對所述晶圓進行第三次釋放靜電處理，所述電極對所述晶圓提供第二反向電壓，以完成所述晶圓上的電荷釋放。
2.如權利要求1所述的一種改善晶格損傷的方法，其特征在于，所述第一次釋放靜電處理、第二次釋放靜電處理和第三次釋放靜電處理的所述電極的功率依次增加。
3.如權利要求2所述的一種改善晶格損傷的方法，其特征在于，所述第二次釋放靜電處理中，電極的功率為80瓦～120瓦；所述第三次釋放靜電處理中，電極的功率為350瓦～450瓦。
4.如權利要求1所述的一種改善晶格損傷的方法，其特征在于，所述第一次釋放靜電處理和第二次釋放靜電處理的工藝時間均為1秒～10秒。
5.如權利要求1所述的一種改善晶格損傷的方法，其特征在于，所述第三次釋放靜電處理的電極的工藝時間均為4秒～40秒。
6.如權利要求1所述的一種改善晶格損傷的方法，其特征在于，所述第一次釋放靜電處理、第二次釋放靜電處理和第三次釋放靜電處理時，在所述晶圓的正面通入氬氣。
7.如權利要求6所述的一種改善晶格損傷的方法，其特征在于，所述氬氣產生的壓強為1torr～10torr。
8.如權利要求7所述的一種改善晶格損傷的方法，其特征在于，所述氬氣的流量為100sccm～500sccm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
