[發明專利]發光裝置

有效

• 申請號: 202011104333.0
• 申請日: 2020-10-15
• 公開（公告）號: CN112382712B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 劉健;林秋霞;黃森鵬;余長治;徐宸科
• 申請（專利權）人: 泉州三安半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/54;H01L33/56;H01L33/58
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1.一種發光裝置，其特征在于，包括：

封裝基板，具有相對的第一表面和第二表面，所述第一表面上設置有圖案化導電層，該圖案化導電層通過一間隔區至少分為兩個彼此電性隔離的第一區域和第二區域；

LED芯片，安裝于圖案化導電層上，具有相對的上表面、下表面，以及側壁，所述下表面設置有第一電極和第二電極，其中第一電極電連接至所述第一區域，第二電極電連接至第二區域；

封裝層，覆蓋所述LED芯片的上表面、側壁及所述基板的第一表面，并在所述LED芯片對應裝置形成一光學結構，在所述基板的第一表面之遠離所述LED芯片的區域形成一平坦區，所述封裝層在所述LED芯片正上方的中心位置具有一第一厚度T₃₁，在所述LED芯片邊緣位置具有一第二厚度T₃₂，在所述LED芯片的外周邊形成的平坦區具有一第三厚度T₃₃，T₃₁、T₃₂和T₃₃的關系如下：400μm≥T₃₃≥T₃₁≥T₃₂≥100μm，且0≤T₃₃-T₃₁≤50μm。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于：所述LED芯片的厚度為200μm-600μm。

3.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于：所述封裝層在所述LED芯片對應裝置形成一包含有曲面的光學結構。

4.根據權利要求3所述的發光裝置，其特征在于：所述封裝層覆蓋在所述圖案化導電層的部分具有一平面，所述曲面與所述平面的交界處到所述LED芯片的側壁的距離D為芯片厚度的1-2倍。

5.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于：所述LED芯片的厚度為T₂₀，所述第一厚度T₃₁與所述LED芯片的厚度關系為：1.2T₂₀≥T₃₁≥0.5T₂₀，且0μm≤T₃₁-T₃₂≤50μm。

6.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于：所述LED芯片的厚度為T₂₀，所述第一厚度T₃₁與所述LED芯片的厚度關系為：150μm≤T₃₁≤T₂₀，且0μm＜T₃₁-T₃₂≤100μm。

7.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于：所述LED芯片厚度大于或者等于300μm，所述封裝層在所述LED芯片正上方的厚度小于或者等于所述LED芯片的厚度的五分之四。

8.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于：所述LED芯片的厚度小于或者等于300μm，所述封裝層在所述LED芯片正上方的厚度大于或者等于所述LED芯片厚度的0.5倍且小于或者等于所述LED芯片的厚度。

9.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于：所述封裝層覆蓋在所述LED芯片側壁的厚度由下表面一端向上表面一端逐漸減少。

10.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于：所述封裝層在所述LED芯片正上方的厚度小于所述LED芯片的厚度，該封裝層覆蓋在所述LED芯片頂部的側壁處具有一最小厚度T₃₄，T₃₄≥100μm。

11.根據權利要求3所述的發光裝置，其特征在于：所述封裝層在所述LED芯片的外周邊形成一個低部，在所述LED芯片正上形成高部，所述曲面包括第一曲面和第二曲面，其中第一曲面連接所述低部，所述第二曲面連接所述高部。