[發明專利]一種預制金錫焊料的微小尺寸功率電阻及制備方法

在審

• 申請號: 202011102812.9
• 申請日: 2020-10-15
• 公開（公告）號: CN112242382A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 丁蕾;劉凱;陳靖;葉雯燚;任衛朋;王立春
• 申請（專利權）人: 上海航天電子通訊設備研究所
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 賀姿;胡晶

1.一種預制金錫焊料的微小尺寸功率電阻，其特征在于，包括AlSi襯底及位于所述AlSi襯底兩側的薄膜電阻層、Ti/Pt/Au膜層和預制金錫焊料層：

所述AlSi襯底包括AlSi基板，所述AlSi基板包括相對的第一表面和第二表面，所述AlSi基板的第一表面上覆蓋有第一薄膜絕緣層，所述AlSi基板的第二表面上覆蓋有第二薄膜絕緣層；

所述薄膜電阻層包括TaN電阻層和若干個薄膜電極，所述TaN電阻層設置于所述第一薄膜絕緣層上，若干個所述薄膜電極平行等間距設置于所述TaN電阻層上，將所述TaN電阻層分隔為若干個串聯的TaN電阻；

所述Ti/Pt/Au膜層設置于所述第二薄膜絕緣層上；

所述預制金錫焊料層設置于所述Ti/Pt/Au膜層上，所述預制金錫焊料層依次包括第一電鍍Au膜層、電鍍Sn膜層及濺射Au膜層，且所述第一電鍍Au膜層靠近所述Ti/Pt/Au膜層；

所述功率電阻的尺寸小于等于0.5mm*0.7mm。

2.根據權利要求1所述的預制金錫焊料的微小尺寸功率電阻，其特征在于，所述薄膜電極包括TiW/Au膜層及第二電鍍Au膜層，所述TiW/Au膜層設置于所述TaN電阻層上，所述第二電鍍Au膜層設置于所述TiW/Au膜層上。

3.根據權利要求1所述的預制金錫焊料的微小尺寸功率電阻，其特征在于，所述第一薄膜絕緣層為AlN膜層或SiO₂膜層或Si₃N₄膜層，所述第二薄膜絕緣層為AlN膜層或SiO₂膜層或Si₃N₄膜層。

4.根據權利要求1所述的預制金錫焊料的微小尺寸功率電阻，其特征在于，所述TaN電阻的阻值為1～1.5Ω。

5.根據權利要求1所述的預制金錫焊料的微小尺寸功率電阻，其特征在于，所述TaN電阻的長寬比為10：1。

6.一種預制金錫焊料的微小尺寸功率電阻的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一表面拋光清洗后的AlSi基板，所述AlSi基板包括相對的第一表面和第二表面，于所述AlSi基板的第一表面沉積第一薄膜絕緣層，于所述AlSi基板的第二表面沉積第二薄膜絕緣層；

于所述第一薄膜絕緣層上依次濺射TaN電阻層和TiW/Au膜層，于所述第二薄膜絕緣層上濺射Ti/Pt/Au膜層；

于所述TiW/Au膜層表面涂覆光刻膠，配合掩模板圖形于所述TiW/Au膜層上電鍍第二電鍍Au膜層；

采用干法刻蝕除去光刻膠下方的所述TiW/Au膜層，于所述TaN電阻層上形成若干個平行等間距設置的薄膜電極；

通過光刻、濕法腐蝕除去所述薄膜電極外側邊緣的所述TaN電阻層，于所述第一薄膜絕緣層一側形成薄膜電阻層；

于所述Ti/Pt/Au膜層上依次形成第一電鍍Au膜層、電鍍Sn膜層及濺射Au膜層，所述第一電鍍Au膜層、所述電鍍Sn膜層及所述濺射Au膜層形成預制金錫焊料層；

劃片制得預制金錫焊料的微小尺寸功率電阻。

7.根據權利要求6所述的預制金錫焊料的微小尺寸功率電阻的制備方法，其特征在于，所述TaN電阻層的厚度為所述TiW/Au膜層中TiW膜層厚度為Au膜層厚度為

8.根據權利要求6所述的預制金錫焊料的微小尺寸功率電阻的制備方法，其特征在于，所述Ti/Pt/Au膜層中Ti膜層厚度為Pt膜層厚度為Au膜層厚度為

9.根據權利要求6所述的預制金錫焊料的微小尺寸功率電阻的制備方法，其特征在于，所述濺射Au膜層用于調節金錫合金化比例，所述濺射Au膜層厚度為