[發明專利]半導體裝置及其形成方法

在審

• 申請號: 202011102693.7
• 申請日: 2020-10-15
• 公開（公告）號: CN114373861A
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 李國興;林俊賢;薛勝元
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12;H01L27/22;H01L43/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體裝置的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在該基底上形成第一內連接層，該第一內連接層包括第一介電層環繞多個第一金屬內連線；

在該第一內連接層上形成第二內連接層，該第二內連接層包括第二介電層環繞多個第二金屬內連線以及多個第三金屬內連線，其中，該第二內連接層以及該第三金屬內連線的形成還包括：

在該第二介電層上形成多個第一掩模圖案，該些第一掩模圖案依照第一間距進行排列；

在該第一掩模圖案上形成第二掩模圖案，該些第二掩模圖案依照第二間距進行排列，該第二間距大于該第一間距；

通過該第二掩模圖案以及該第一掩模圖案進行蝕刻制作工藝，形成多個第一開口貫穿該第二介電層，以及多個第二開口設置在該第二介電層內；以及

在該些第一開口以及該些第二開口內形成該些第二金屬內連線以及該些第三金屬內連線；以及

形成第三內連接層包括第三介電層環繞多個第一磁隧穿結結構。

2.依據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，該第一金屬內連線的一部分電連接該基底的源極。

3.依據權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，各該第二金屬內連線的線寬大于各該第三金屬內連線的線寬。

4.依據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，形成在該些第二開口內的該些第二金屬內連線電連接該基底的源極。

5.依據權利要求4所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，各該第二金屬內連線的線寬與各該第三金屬內連線的線寬相同。

6.依據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，還包括：

在該第三介電層內形成多個第四金屬內連線，該些第四金屬內連線以及該些第一磁隧穿結結構于該第三介電層內相互交替地排列；以及

在該第三金屬內連層上形成第四內連接層，該第四內連接層包括第四介電層環繞多個第五金屬內連線以及多個第二磁隧穿結結構，該些第五金屬內連線以及該些第二磁隧穿結結構于該第四介電層內相互交替地排列。

7.依據權利要求6所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，該些第五金屬內連線設置在該第三內連接層內的該些第一磁隧穿結結構的正上方，并且，該些第四金屬內連線設置在該第四內連接層內的該些第二磁隧穿結結構的正下方。

8.依據權利要求6所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，各該第一磁隧穿結結構的間距大于各該第二金屬內連線或各該第三金屬內連線的間距。

9.依據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，該第二金屬內連線與部分的該第三金屬內連線一體成形。

10.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

基底；

第一內連接層，設置在該基底上，該第一內連接層包括第一介電層環繞多個第一磁隧穿結結構；以及

第二內連接層，設置在該第一內連接層上，該第二內連接層包括第二介電層，環繞多個第二磁隧穿結結構，該些第二磁隧穿結結構以及該些第一磁隧穿結結構相互交替地沿著一方向排列。

11.依據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，該第一內連接層還包括多個第一金屬內連線，該些第一金屬內連線與該些第一磁隧穿結結構于該第一介電層內相互交替地排列。

12.依據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，該些第一金屬內連線設置在該第二內連接層內的該些第二磁隧穿結結構的正下方。

13.依據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，該第二內連接層還包括多個第二金屬內連線，該些第二金屬內連線以及該些第二磁隧穿結結構于該第二介電層內相互交替地排列。