[發明專利]一種碲摻雜鍺酸鉍晶體材料及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 202011102670.6 | 申請日： | 2020-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN112342621B | 公開（公告）日： | 2023-01-06 |
| 發明（設計）人： | 徐曉東;徐杰;李東振;劉鵬;劉堅 | 申請（專利權）人： | 江蘇師范大學 |
| 主分類號： | C30B29/32 | 分類號： | C30B29/32;C30B15/04;C30B15/08;H01S3/16 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹翠珍 |
| 地址： | 221116 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摻雜 鍺酸鉍 晶體 材料 及其 制備 方法 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種碲摻雜鍺酸鉍晶體材料，其特征在于，該材料的分子式為Te4xBi4(1-x)Ge3O12，其中，x的取值范圍為0.005～0.02，x代表Te離子的摻雜濃度，Te離子取代Bi離子格位；所述晶體材料的晶系為立方晶系，空間群為I-43d，晶胞參數為α＝β＝γ＝90°，Z＝4。
2.權利要求1所述的一種碲摻雜鍺酸鉍晶體材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1)將TeO2、Bi2O3、GeO2高純原料按照化學通式進行稱量：Te4xBi4(1-x)Ge3O12，其中x為熔體中摻雜Te離子的濃度；
步驟2)原料稱量后，在瑪瑙研缽內混合均勻，塑型成棒狀后密封，在70MPa 下冷等靜壓2min，然后在空氣中于500℃燒結20h，燒結好的原料放在坩堝內備用；
步驟3)用氧化鋯作為保溫罩，把經步驟2)處理的原料放入鉑金坩堝，裝入微下拉爐，進而升溫熔化準備生長；微下拉速度為0.2mm/min，晶體生長完成后，緩慢降至室溫并取出晶體，即可。
3.根據權利要求2所述的一種碲摻雜鍺酸鉍晶體材料的制備方法，其特征在于，步驟1)所述TeO2的純度≥99.999％，所述Bi2O3的純度≥99.999％，所述GeO2的純度≥99.999％。
4.權利要求1所述的一種碲摻雜鍺酸鉍晶體材料在近紅外激光方面的應用。
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