[發明專利]一種基于虛擬井的斷溶體儲層刻畫方法在審
| 申請號: | 202011102576.0 | 申請日: | 2020-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN112505760A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 曹穎輝;朱光有;楊敏;王珊;閆磊;陳志勇;李洪輝;馬德波;李婷婷;趙一民;杜德道;董洪奎 | 申請(專利權)人: | 中國石油天然氣股份有限公司 |
| 主分類號: | G01V1/30 | 分類號: | G01V1/30;G01V1/28;G01V1/40 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 劉靜;姚亮 |
| 地址: | 100007 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 虛擬 斷溶體儲層 刻畫 方法 | ||
本發明公開了一種基于虛擬井的斷溶體儲層刻畫方法。該斷溶體儲層刻畫方法包括以下步驟:S100、選取基準井,在斷裂兩側的非儲層位置建立虛擬井;S200、將所述基準井的聲波曲線賦予所述虛擬井;利用所述虛擬井進行地震反演,以此建立反映地層格架的波阻抗模型;S300、以目標區內實鉆井參與進行地震反演;S400、將S300得到的地震反演結果與所述反映地層格架的波阻抗模型做差,刻畫所述斷溶體儲層。本發明可有效刻畫斷裂破碎帶儲層,解決了斷溶體儲層內部反射弱、地層界面反射影響大、儲層預測難度大等問題,對指導深層斷控儲層的勘探開發具有重要意義。
技術領域
本發明涉及油氣勘探技術領域,具體涉及一種基于虛擬井的斷溶體儲層刻畫方法。
背景技術
碳酸鹽巖斷溶體儲層主要受控于走滑斷裂,斷裂破碎帶為主要儲集空間,在地震上主要表現為雜亂反射特征,其反射強度較弱,同時受地層界面影響,常規地震屬性和地震反演難以對斷溶體內幕儲層進行有效刻畫,現有的結構張量等地震結構類屬性可刻畫斷溶體邊界,但存在分辨率不足等問題,斷溶體內幕儲層結構難以有效刻畫;常規的地震反演對以雜亂弱反射為主的斷溶體儲層預測效果不理想。
本發明通過在斷裂破碎帶兩側致密地層位置建立若干虛擬井,借助未鉆遇儲層井信息建立反映地層骨架的波阻抗模型,最后將實鉆井參與的地震反演結果和地層格架阻抗求差,該殘差突出斷裂破碎帶低阻抗信息,可有效刻畫斷裂破碎帶儲層,對指導深層斷控儲層的勘探開發具有重要意義。
發明內容
本發明的目的在于提供一種基于虛擬井的斷溶體儲層刻畫方法,以解決斷溶體儲層內部反射弱、地層界面反射影響大、儲層預測難度大等問題,為斷控縫洞油藏的勘探開發提供重要依據。
為了實現以上目的,本發明采用以下技術方案:
本發明提供一種基于虛擬井的斷溶體儲層刻畫方法,該斷溶體儲層刻畫方法包括以下步驟:
S100、選取基準井,在斷裂兩側的非儲層位置建立虛擬井;
S200、將所述基準井的聲波曲線賦予所述虛擬井;利用所述虛擬井進行地震反演,以此建立反映地層格架的波阻抗模型;
S300、以目標區內所有已鉆井參與進行地震反演;
S400、求取S300得到的地震反演結果和所述反映地層格架的波阻抗模型的殘差,刻畫所述斷溶體儲層。
本發明通過在斷裂破碎帶兩側致密地層位置建立若干虛擬井,借助未鉆遇儲層井信息建立反映地層骨架的波阻抗模型,最后將實際井參與的地震反演結果和地層格架阻抗求殘差,突出斷裂破碎帶低阻抗信息,可有效刻畫斷裂破碎帶儲層,對指導深層斷控儲層的勘探開發具有重要意義。
以下針對每一步驟進行詳細說明:
S100、選取基準井,在斷裂兩側的非儲層位置建立虛擬井。
目標區內至少包括鉆遇縫洞儲層和未鉆遇儲層兩種類型已鉆井,根據本發明的斷溶體儲層刻畫方法,優選的,以未鉆遇所述斷溶體儲層的已鉆井為基準井。若存在多口未鉆遇儲層的已鉆井,選取反映地層格架的典型井,例如電測曲線特征清楚、完整,井震關系優良的。
根據本發明的斷溶體儲層刻畫方法,優選的,根據斷裂規模與長度,在斷裂兩側非儲層位置每10km各建立5~8口虛擬井。
根據本發明的斷溶體儲層刻畫方法,優選的,所述虛擬井均勻分布在斷裂破碎帶兩側,且垂直斷裂破碎帶距離大于200米,根據相干和不連續性屬性所描述斷裂及破碎帶位置。
S200、將所述基準井的聲波曲線賦予所述虛擬井;利用所述虛擬井進行地震反演,以此建立反映地層格架的波阻抗模型。
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