[發明專利]三相同軸超導電纜本體線芯及其制備方法在審
| 申請號: | 202011102284.7 | 申請日: | 2020-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN112331406A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發明(設計)人: | 龐玉春;劉治琦;徐紅春;高鵬 | 申請(專利權)人: | 寶勝科技創新股份有限公司 |
| 主分類號: | H01B12/02 | 分類號: | H01B12/02 |
| 代理公司: | 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 馬曉敏 |
| 地址: | 225800 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三相 同軸 超導 電纜 本體 及其 制備 方法 | ||
1.三相同軸超導電纜本體線芯,其特征在于,從內到外依次包括:支撐體層(1)、第一相導體層(2)、第一絕緣層(3)、第二相導體層(4)、第二絕緣層(5)、第三相導體層(6)、第三絕緣層(7)、屏蔽層(8)和保護層(9);
所述第一相導體層(2)、第二相導體層(4)和第三相導體層(6)均從內到外依次包括:內銅緩沖層(10)、超導層(11)和外銅緩沖層(12),且所述第一相導體層(2)、第二相導體層(4)和第三相導體層(6)三者同軸設置。
2.根據權利要求1所述的三相同軸超導電纜本體線芯,其特征在于,所述支撐體層(1)的外側面與所述第一相導體層(2)的內銅緩沖層(10)內側面之間設置一層半導體層,所述所述第一相導體層(2)的外銅緩沖層(12)外側面與所述第一絕緣層(3)內側面之間設置一層半導體層,所述第一絕緣層(3)外側面與所述第二相導體層(4)的內銅緩沖層(10)內側面之間設置有一層半導體層,所述第二相導體層(4)的外銅緩沖層(12)外側面與所述第二絕緣層(5)內側面之間設置有一層半導體層,所述第二絕緣層(5)外側面與所述第三相導體層(6)的內銅緩沖層(10)內側面之間設置有一層半導體層,所述第三相導體層(6)的外銅緩沖層(12)外側面與所述第三絕緣層(7)內側面之間設置有一層半導體層,所述第三絕緣層(7)外側面與所述屏蔽層(8)內側面之間設置有一層半導體層。
3.根據權利要求1所述的三相同軸超導電纜本體線芯,其特征在于,所述支撐體層(1)為螺紋狀的銅波紋管,所述銅波紋管壁厚為0.5mm,螺距為9mm,螺深為3mm。
4.根據權利要求1所述的三相同軸超導電纜本體線芯,其特征在于,所述內銅緩沖層(10)和外銅緩沖層(12)的材料為銅帶,所述銅帶寬度為25-40mm。
5.根據權利要求1所述的三相同軸超導電纜本體線芯,其特征在于,所述超導層(11)的材質為YBCO高溫超導帶材,所述YBCO高溫超導帶材的寬度為5mm,厚度為0.38mm,超導帶材采用同向繞制方向。
6.根據權利要求1所述的三相同軸超導電纜本體線芯,其特征在于,所述第一絕緣層(3)、第二絕緣層(5)和第三絕緣層(7)的絕緣材料為聚丙烯層壓紙,所述聚丙烯層壓紙的厚度為119μm,寬度為25mm;所述半導體層的材料為碳紙或半導電纖維材料。
7.根據權利要求1所述的三相同軸超導電纜本體線芯,其特征在于,所述支撐體層(1)的端頭位置設置有均壓環(13),所述均壓環(13)與所述支撐體層(1)焊接連接。
8.根據權利要求1所述的三相同軸超導電纜本體線芯,其特征在于,所述屏蔽層的厚度為0.5mm,所述屏蔽層的材料為銅帶,所述銅帶的寬度為5mm。
9.根據權利要求1所述的三相同軸超導電纜本體線芯,其特征在于,所述保護層(9)的材料為聚酯薄膜,厚度為0.2mm。
10.權利要求1~9任一項所述的三相同軸超導電纜本體線芯的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟S1:在所述支撐體層(1)的端頭部位加裝均壓環(13),然后在支撐體層(1)外表面均勻繞包一層半導體層,搭蓋率為0-5%;
步驟S2:通過仿真工具獲得在不同短路下的熱數據,并將數據導入模擬軟件中進行仿真分析,得到所述內銅緩沖層(10)和外銅緩沖層(12)的厚度,然后在步驟S1所述的半導體層外依次連續繞制內銅緩沖層(10)、超導層(11)和外銅緩沖層(12),得到第一相導體層(2);
步驟S3:在步驟S1得到的所述第一相導體層(2)的外銅緩沖層(12)外側面繞制一層半導體層,搭蓋率為0-5%,然后在半導體層外繞制第一絕緣層(3),所述第一絕緣層(3)采用多頭同心式繞包進行,然后在所述第一絕緣層(3)外側面再繞制一層半導體層搭蓋率為0-5%,最后再依次繞制內銅緩沖層(10)、超導層(11)和外銅緩沖層(12),得到第二相導體層(4);
步驟S4:重復步驟S3,得到第三相導體層(6);
步驟S5:根據三相不平衡性及故障時屏蔽層(8)的電流分量,設計所述屏蔽層(8)的厚度,在所述第三絕緣層(7)外側面半導體層的外側面依次繞制所述屏蔽層(8)和所述保護層(9)。
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