[發明專利]窄半導體臺面器件

在審

• 申請號: 202011102264.X
• 申請日: 2020-10-15
• 公開（公告）號: CN112670333A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: A·卡莫斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉書航;申屠偉進

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底，其包括主表面和與主表面相對的背表面；

第一溝槽和第二溝槽，其在橫向上彼此分離并且各自從主表面延伸到襯底中；

臺面分隔結構，其在橫向上在第一溝槽與第二溝槽之間，并且包括非半導體材料；

第一半導體臺面，其在第一溝槽和臺面分隔結構之間，第一半導體臺面包括：

與第一溝槽的第一側壁共同延伸的第一側壁；

與臺面分隔結構的非半導體材料直接相接的第二側壁；

源極區，其延伸到主表面并且具有第一導電類型；

本體區，其在源極區下方并且具有與第一導電類型相反的第二導電類型；以及

漂移區，其在本體區下方并且具有第一導電類型；

其中，由第一半導體臺面的橫向寬度除以第一半導體臺面的豎向深度所限定的第一半導體臺面的寬高比小于或等于0.2。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，由第一溝槽的橫向寬度除以第一溝槽的豎向深度所限定的第一溝槽的寬高比與第一半導體臺面的寬高比之間的比率大于或等于0.5。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，半導體器件進一步包括載流子提取區，載流子提取區延伸到主表面并且具有第二導電類型，其中，載流子提取區被配置為提供用于從背表面流動到主表面的第二導電類型的載流子的導通路徑。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，半導體器件包括在第二溝槽和臺面分隔結構之間的第二半導體臺面，其中，第二半導體臺面包括與第二溝槽的第一側壁共同延伸的第一側壁、以及與臺面分隔結構的非半導體材料直接相接的第二側壁，并且其中，載流子提取區被部署在第二半導體臺面中。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，臺面分隔結構包括兩個單片絕緣結構和在橫向上部署在該兩個單片絕緣結構之間的中心半導體臺面，其中，載流子提取區被部署在中心半導體臺面中，其中，半導體器件包括發射極金屬化，其中，發射極金屬化被電連接到源極區和載流子提取區，并且其中，本體區被與發射極金屬化電斷連。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，臺面分隔結構包括電絕緣材料和導電材料，并且其中，導電材料被形成在臺面分隔結構的被通過電絕緣材料與半導體襯底絕緣的中心區中。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，臺面分隔結構包括中心溝槽和部署在中心溝槽的任一側上的兩個單片絕緣結構，并且其中，導電材料包括部署在中心溝槽中的多晶硅區。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，半導體器件包括部署在第一溝槽與第二溝槽之間的輔助溝槽，并且其中，臺面分隔結構包括完全占據第一半導體臺面和輔助溝槽之間的橫向區的單片絕緣結構。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，臺面分隔結構包括單片絕緣結構，其中，半導體器件進一步包括形成在單片絕緣結構中的接觸溝槽以及填充接觸溝槽的導電發射極接觸，并且其中，發射極接觸的側壁與發射極區和本體區直接相接。