[發(fā)明專利]光控顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011102152.4 | 申請日: | 2020-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN112259583A | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張愉;江淼 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光控 顯示裝置 | ||
1.一種光控顯示裝置,其特征在于,包括:
顯示面板;以及
光控層,設(shè)置于所述顯示面板出光面的一側(cè),所述光控層包括多個陣列分布的開關(guān)薄膜晶體管和光感薄膜晶體管,所述開關(guān)薄膜晶體管和所述光感薄膜晶體管均包括金屬元件;其中,
所述開關(guān)薄膜晶體管的金屬元件背離所述顯示面板的一側(cè)和/或所述光感薄膜晶體管的金屬元件背離所述顯示面板的一側(cè)覆蓋有光吸收層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光控顯示裝置,其特征在于,所述開關(guān)薄膜晶體管的金屬元件包括第一柵極、第一源極以及第一漏極,所述光感薄膜晶體管的金屬元件包括第二柵極、第二源極以及第二漏極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光控顯示裝置,其特征在于,所述光吸收層設(shè)置于所述第一柵極、所述第一源極、所述第一漏極、所述第二柵極、所述第二源極、以及所述第二漏極上,且覆蓋所述第一柵極、所述第一源極、所述第一漏極、所述第二柵極、所述第二源極、以及所述第二漏極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光控顯示裝置,其特征在于,所述光吸收層為黑矩陣,所述黑矩陣對應于所述開關(guān)薄膜晶體管設(shè)置且覆蓋所述開關(guān)薄膜晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光控顯示裝置,其特征在于,所述黑矩陣具有多孔結(jié)構(gòu)或光子晶體結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光控顯示裝置,其特征在于,所述光吸收層整面設(shè)置于所述光控層背離所述顯示面板的一側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光控顯示裝置,其特征在于,所述光吸收層為吸收可見光波段的黑膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光控顯示裝置,其特征在于,所述光控顯示裝置還包括設(shè)置于所述光控層背離所述顯示面板的一側(cè)的第一偏光片和設(shè)置于背離所述顯示面板出光面一側(cè)的第二偏光片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光控顯示裝置,其特征在于,所述光吸收層設(shè)置于所述第一偏光片背離所述光控層的一側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光控顯示裝置,其特征在于,所述光控層還包括掃描線和數(shù)據(jù)線,所述光吸收層還設(shè)置于所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線上,且覆蓋所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





