[發明專利]一種基于跨導增益負反饋機理的柵源電壓擾動抑制電路

在審

• 申請號: 202011102001.9
• 申請日: 2020-10-15
• 公開（公告）號: CN112436725A
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 邵天驄;李志君;鄭瓊林;黃波;王俊興
• 申請（專利權）人: 北京交通大學;泰科天潤半導體科技（北京）有限公司
• 主分類號: H02M1/32
• 分類號: H02M1/32;H03F1/34
• 代理公司: 福州市鼓樓區京華專利事務所(普通合伙) 35212
• 代理人: 王牌

1.一種基于跨導增益負反饋機理的柵源電壓擾動抑制電路，用于驅動被驅動功率MOSFET(Q₁)，被驅動功率MOSFET(Q₁)通過驅動芯片作開關動作，其特征在于：包括一驅動管(Q₂)；通過驅動管(Q₂)的跨導增益，經過被驅動功率MOSFET(Q₁)內部寄生電阻，產生位移電流，對被驅動功率MOSFET(Q₁)的寄生輸入電容充放電。

2.如權利要求1所述的一種基于跨導增益負反饋機理的柵源電壓擾動抑制電路，其特征在于：還包括驅動電阻(R_g2)、驅動電阻(R_g1)、開通偏置電壓以及關斷偏置電壓，所述驅動芯片輸出電源正端口連接至開通偏置電壓的正極，所述驅動芯片輸出電源負端口連接至關斷偏置電壓的負極，所述驅動芯片的驅動輸出端口連接至所述被驅動功率MOSFET(Q₁)的柵極，所述驅動芯片的驅動輸出端口連接至所述驅動管(Q₂)的柵極，所述驅動管(Q₂)的源極連接至所述被驅動功率MOSFET(Q₁)的柵極，所述驅動管(Q₂)的漏極連接至所述關斷偏置電壓的負極，所述開通偏置電壓負極以及關斷偏置電壓的正極均連接至所述被驅動功率MOSFET(Q₁)的源極。

3.如權利要求2所述的一種基于跨導增益負反饋機理的柵源電壓擾動抑制電路，其特征在于：還包括驅動電阻(R_g1)；所述驅動芯片的驅動輸出端口通過驅動電阻(R_g1)連接至所述被驅動功率MOSFET(Q₁)的柵極。

4.如權利要求2所述的一種基于跨導增益負反饋機理的柵源電壓擾動抑制電路，其特征在于：還包括驅動電阻(R_g2)；所述驅動芯片的驅動輸出端口通過驅動電阻(R_g2)連接至所述驅動管(Q₂)的柵極。

5.如權利要求1所述的一種基于跨導增益負反饋機理的柵源電壓擾動抑制電路，其特征在于：所述被驅動功率MOSFET(Q₁)和驅動管(Q₂)具有對偶的溝道特性，即當被驅動功率MOSFET(Q₁)為N溝道時，驅動管(Q₂)為P溝道；當被驅動功率MOSFET(Q₁)為P溝道時，驅動管(Q₂)為N溝道。