[發明專利]太陽能電池的制備方法及太陽能電池

在審

• 申請號: 202011101972.1
• 申請日: 2020-10-15
• 公開（公告）號: CN114430000A
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 李兵;邵亞輝;羅宇馳;鄧偉偉;蔣方丹
• 申請（專利權）人: 嘉興阿特斯技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/042
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 段友強

1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于：

對硅基底進行第一次制絨；

在硅基底的背面制備隧穿層與本征非晶硅層；

在所述硅基底背面的第一區域、第二區域分別設置第一摻雜源層、第二摻雜源層；

退火，使得第一區域、第二區域分別形成第一摻雜多晶硅層與第二摻雜多晶硅層，所述第一摻雜多晶硅層與第二摻雜多晶硅層兩者的摻雜類型相反；

對硅基底的正面進行第二次制絨；

依次進行清洗、鍍膜與金屬化。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述第一次制絨與第二次制絨均采用堿溶液對硅基底進行刻蝕，所述第一次制絨過程控制所述硅基底的背面的絨面高度介于0.5～1.5μm；所述第二次制絨過程控制所述硅基底的正面的絨面高度介于2～4μm。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述“在所述硅基底背面的第一區域、第二區域分別設置第一摻雜源層、第二摻雜源層”是指在所述硅基底背面的第一區域的本征非晶硅層上設置硼漿，并在所述硅基底背面的第二區域的本征非晶硅層上設置磷漿。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述第一區域包括若干第一條形區，所述第二區域包括若干第二條形區，所述第一條形區與第二條形區依次交替排布且呈相互間隔設置；所述第一條形區與第二條形區兩者的寬度均設置為40～500μm，相鄰所述第一條形區與第二條形區的間隙寬度設置為50～500μm。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述退火步驟的溫度設置為850～1100℃；控制所述第一摻雜多晶硅層的硼摻雜濃度為1E19～5E20cm^-3，并控制所述第二摻雜多晶硅層的磷摻雜濃度為1E20～5E20cm^-3。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于：所述退火步驟還包括向反應腔內通入氧氣，使得所述硅基底的正面形成氧化層，且使得所述硅基底的背面形成掩膜層，所述掩膜層包括形成在所述第一摻雜多晶硅層表面的BSG層、形成在所述第二摻雜多晶硅層表面的PSG層。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述制備方法還包括在進行第二次制絨前，去除所述硅基底正面的氧化層，并保留所述硅基底背面的掩膜層。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：在對硅基底進行第一次制絨前，先采用酸溶液或堿溶液對硅基底進行粗拋，去除所述硅基底表面的機械損傷層。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述鍍膜包括在所述硅基底正面制備鈍化層，所述鈍化層設置為SiO₂膜且其厚度設置為2～6nm；再于所述鈍化層背離所述硅基底的一側表面制備減反射層。

10.一種太陽能電池，其特征在于：所述太陽能電池采用如權利要求1-9任一項所述的制備方法制得。