[發(fā)明專利]一種LED紫外芯片質(zhì)量的評價方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011100109.4 | 申請日： | 2020-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN112345963B | 公開（公告）日： | 2022-09-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高春瑞;鄭劍飛;蘇水源 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門多彩光電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/44 | 分類號： | G01R31/44;G01M11/02;G01N21/956 |
| 代理公司： | 廈門市精誠新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35218 | 代理人： | 黃斌 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市火*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 led 紫外 芯片 質(zhì)量 評價 方法 | ||
1.一種LED紫外芯片質(zhì)量的評價方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、將待測芯片固晶在封裝支架上，并實現(xiàn)待測芯片和封裝支架之間的電路導(dǎo)通；
S2、通過點膠工藝將硅膠涂覆于待測芯片上，以制成待測封裝體，所述硅膠將待測芯片完全覆蓋住；
S3、在恒溫環(huán)境中，對待測封裝體進行通電點亮測試；待點亮N小時后，待測芯片產(chǎn)生的熱量以及紫外線使覆蓋在其上的硅膠部分碳化，取出待測封裝體，拍攝并記錄待測封裝體實驗后的圖片；
S4、觀察待測封裝體實驗后的圖片,并根據(jù)圖片中硅膠碳化部分的碳化程度及碳化分布均勻性來判斷LED紫外芯片的質(zhì)量，其中碳化的圖像即展示了芯片的熱量、紫外線分布情況，碳化圖形分布越均勻，且碳化程度越小，說明芯片質(zhì)量越好；反之，碳化圖形分布不均勻，且碳化越明顯，說明芯片質(zhì)量越差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的評價方法，其特征在于：所述步驟S3中，待測封裝體通道點亮測試的電流為待測芯片額定電流的1.5～2.0倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的評價方法，其特征在于：所述步驟S2中硅膠的厚度高于芯片厚度1～2mm。
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