[發明專利]具有四層堆疊的三維存儲器在審
| 申請號: | 202011099506.4 | 申請日: | 2020-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN112271191A | 公開(公告)日: | 2021-01-26 |
| 發明(設計)人: | 劉峻 | 申請(專利權)人: | 長江先進存儲產業創新中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/24 | 分類號: | H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 李路遙;張穎玲 |
| 地址: | 430014 湖北省武漢市東湖新技術開發區*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 堆疊 三維 存儲器 | ||
1.一種具有四層堆疊的三維存儲器,其特征在于,包括:至少一個存儲單元陣列塊;其中,所述存儲單元陣列塊包括:
從上到下依次排列的第一位線層、第二位線層及第三位線層;所述第一位線層、第二位線層及第三位線層相互平行;所述第一位線層的位線、第二位線層的位線及第三位線層的位線相互平行,且所述第一位線層的位線、第二位線層的位線及第三位線層的位線在第一平面上的投影部分重合;
位于所述第一位線層和第二位線層之間的第一字線層;位于所述第二位線層和第三位線層之間的第二字線層;所述第一字線層及第二字線層互相平行;所述第一字線層的字線及第二字線層的字線在所述第一平面上的投影均與所述第一位線層的位線在所述第一平面上的投影垂直;
位于所述第一位線層和第一字線層之間的多個第一存儲單元;位于所述第一字線層和第二位線層之間的多個第二存儲單元;位于所述第二位線層和第二字線層之間的多個第三存儲單元;位于所述第二字線層和第三位線層之間的多個第四存儲單元。
2.根據權利要求1所述的三維存儲器,其特征在于,
所述第一位線層的每一條位線與所述第二位線層的對應位線在所述第一平面上的投影部分重合;所述第一位線層的每一條位線與所述第三位線層的對應位線在所述第一平面上的投影重合;
所述第一字線層的每一條字線與所述第二字線層的對應字線在所述第一平面上的投影部分重合。
3.根據權利要求2所述的三維存儲器,其特征在于,所述存儲單元陣列塊還包括:與所述第一位線層的位線接觸的第一位線連接部;與所述第二位線層的位線接觸的第二位線連接部;與所述第一字線層的字線接觸的第一字線連接部;與所述第二字線層的字線接觸的第二字線連接部;其中,
所述第一位線連接部與所述第三位線層的對應位線連接;所述第三位線層中相鄰的兩條位線的間隔中設置有延伸出的所述第二位線連接部、第一字線連接部或第二字線連接部。
4.根據權利要求3所述的三維存儲器,其特征在于,所述存儲單元陣列塊還包括:與所述第三位線層的位線接觸的第三位線連接部;
所述第一位線連接部與相應的第三位線連接部在所述第一平面上的投影重合;
所述第三位線層中沿第一方向排列且相鄰的兩條位線的間隔中設置有延伸出的所述第二位線連接部;
所述第三位線層中沿第二方向排列且相鄰的兩條位線的間隔中設置有延伸出的所述第一字線連接部或第二字線連接部;
其中,所述第一方向與所述第二方向垂直。
5.根據權利要求4所述的三維存儲器,其特征在于,所述三維存儲器還包括位線解碼器;所述位線解碼器設置在所述存儲單元陣列塊的兩個位線解碼器區域上;所述兩個位線解碼器區域包括所述第二位線連接部及所述第三位線連接部分別在第二平面的投影所在的區域;其中,所述位線解碼器通過相應的位線連接部分別連接到所述存儲單元陣列塊中的所有位線上。
6.根據權利要求4所述的三維存儲器,其特征在于,所述三維存儲器還包括字線解碼器;所述字線解碼器設置在所述存儲單元陣列塊的兩個字線解碼器區域上;所述兩個字線解碼器區域包括所述第一字線連接部及所述第二字線連接部分別在第二平面的投影所在的區域;其中,所述字線解碼器通過相應的字線連接部分別連接到所述存儲單元陣列塊中的所有字線上。
7.根據權利要求4所述的三維存儲器,其特征在于,所述三維存儲器還包括位線驅動器;所述位線驅動器設置在所述存儲單元陣列塊的兩個位線驅動器區域上;所述兩個位線驅動器區域包括所述第二位線連接部及所述第三位線連接部分別在第三平面的投影所在的區域;其中,所述位線驅動器通過相應的位線連接部分別連接到所述存儲單元陣列塊中的所有位線上。
8.根據權利要求4所述的三維存儲器,其特征在于,所述三維存儲器還包括字線驅動器;所述字線驅動器設置在所述存儲單元陣列塊的兩個字線驅動器區域上;所述兩個字線驅動器區域包括所述第一字線連接部及所述第二字線連接部分別在第三平面的投影所在的區域;其中,所述字線驅動器通過相應的字線連接部分別連接到所述存儲單元陣列塊中的所有字線上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





