[發明專利]一種LED芯片制造業廢水處理工程工藝

在審

• 申請號: 202011097886.8
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112174439A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 劉嵩
• 申請（專利權）人: 上海三邦水處理技術有限公司
• 主分類號: C02F9/14
• 分類號: C02F9/14;C02F103/34;C02F101/14;C02F101/10;C02F101/30
• 代理公司: 深圳至誠化育知識產權代理事務所(普通合伙) 44728
• 代理人: 劉英

本發明公開了一種LED芯片制造業廢水處理工程工藝，LED芯片制造業廢水需要做如下處理系統：首先酸堿廢水處理系統，然后含氟廢水處理系統，接著含磷廢水處理系統，含磷廢水中產生的有機廢水經過有機廢水處理，最后將以上處沉淀的污泥做沉淀池污泥處理，沉淀的廢水再次經過以上系統處理。新有技術的實施，使得廢水處理更為高效，更為徹底，出水水質更好，而且部分節省水源用水，達到節約用水的目的。

技術領域

本發明涉及制造業廢水處理技術領域，特別涉及一種LED芯片制造業廢水處理工程工藝。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode，簡寫為LED)，是一種將電能轉變為光能的半導體發光器件。隨著發光二極管技術的提高，作為新型高效固體光源，其在照明和顯示兩大領域的應用越來越多。與現行照明設備相比，LED照明具有節能、耗電量少,安全環保，壽命長，結構牢固，節省安裝空間等優點，因此，在我國LED作為新興的高新技術產業，近年來得到了飛速的發展。同時，由于LED產品單位耗水量較高，隨著產品產量的大幅增加勢必會造成生產過程中污染物的大量排放，工業廢水的排放量也呈現出了跳躍式的增長，如何在行業大發展的同時，有效治理這些廢水成為該行業和企業面臨的主要課題之一。

LED芯片制造主要工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。工藝流程中的清洗工藝需要消耗超純水，清洗時添加的化學試劑和有機溶劑隨著清洗液的排出，廢水中會含有塵埃顆粒、有機溶劑、金屬離子、無機酸等污染物。因此，LED芯片產業項目主要會產生含磷、含氟、含酸堿和含有機物等類型污染物的廢水。

LED產業作為新興發展的高新技術產業，其快速發展不可避免的產生大量廢水污染物，如何有效的控制和處理廢水也成為該行業的一大課題。由于生產工藝不盡相同，以及原料、藥劑等在使用上的差異，使得LED產業廢水的種類繁多，水質相對復雜。

發明內容

本發明的目的在于提供一種LED芯片制造業廢水處理工程工藝，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種LED芯片制造業廢水處理工程工藝，LED芯片制造業廢水需要做如下處理系統：首先酸堿廢水處理系統，然后含氟廢水處理系統，接著含磷廢水處理系統，含磷廢水中產生的有機廢水經過有機廢水處理，最后將以上處沉淀的污泥做沉淀池污泥處理，沉淀的廢水再次經過以上系統處理。

進一步的，具體操作步驟如下：

酸堿廢水處理系統：首先將酸堿廢水投入到酸堿廢水調節池中，曝氣；然后投入到PH調節池1、PH調節池2,在PH調節池1和PH調節池2中投入NaOH和H₂SO₄，然后將廢水經過排放水池，接著進入巴歇爾槽，達標后排放；

含氟廢水處理系統：首先將含氟廢水投入到含氟廢水調節池中，曝氣；接著進入到PH調節池，在PH調節池中投入Ca(OH)₂以及CaCl₂；然后經過混凝池，往混凝池中投入PAC以及Ca(OH)₂；接著進入到絮凝池，往絮凝池中投入PAM；然后進入到含氟廢水沉淀池中；接著進入到排放水池中達標排放；

含磷廢水處理系統：首先將含磷廢水投入到含磷廢水調節池中，曝氣；接著進入到PH調節池中，往PH調節池中投入Ca(OH)₂以及CaCl₂；后經過混凝池，往混凝池中投入PAC以及Ca(OH)₂；接著進入到絮凝池，往絮凝池中投入PAM；然后進入到含磷廢水沉淀池中；接著進入到清水池中；得到有機廢水；