[發明專利]光電器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202011097670.1
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN114373806A
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 廖永平;李志偉;曾金林;王謙;冀瑞強
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/18
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 望紫薇

1.一種光電器件，其特征在于，包括波導層和光收發芯片，其中：

所述波導層，包括第一包層、第二包層、位于所述第一包層和所述第二包層之間的波導芯層、以及貫穿所述第一包層及所述波導芯層的斜槽，所述斜槽包括第一側面和第二側面，所述第一側面靠近所述波導芯層的光路側設置，所述第二側面遠離所述光路側設置；

所述光收發芯片，設置于所述第一包層的遠離所述波導芯層的一側，并覆蓋所述斜槽的開口，所述光路側的傳輸光線經所述第一側面反射后在所述波導層和所述光收發芯片之間傳輸。

2.根據權利要求1所述的光電器件，其特征在于，沿所述波導芯層中的光線傳輸方向，所述第一側面與所述第二側面之間的間距為15～30微米。

3.根據權利要求1或2所述的光電器件，其特征在于，所述光電器件還包括連接件，所述連接件設置在所述第一包層的靠近所述光收發芯片的表面，且所述連接件設置在所述斜槽的開口的周側；所述光收發芯片固定于所述連接件。

4.根據權利要求3所述的光電器件，其特征在于，所述連接件包括金屬層和焊料層，所述金屬層設置于所述第一包層的靠近所述光收發芯片的表面，所述焊料層設置于所述金屬層的表面，所述光收發芯片焊接于所述焊料層。

5.根據權利要求1-4任一項所述的光電器件，其特征在于，所述光電器件還包括分波結構，所述分波結構設置于所述波導芯層的光路側的端部；

所述分波結構包括多個光波傳輸口，所述波導芯層為多個，且多個所述波導芯層在所述第二包層表面間隔設置，所述分波結構的每個所述光波傳輸口對應連接一個所述波導芯層。

6.根據權利要求5所述的光電器件，其特征在于，任一所述波導芯層對應設置一個所述斜槽，或者，沿所述波導芯層的排列方向，一個所述斜槽貫通部分或所有所述波導芯層。

7.根據權利要求5所述的光電器件，其特征在于，任一所述波導芯層所對應的所述斜槽的開口處設置一個所述光收發芯片。

8.一種光電器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在波導層形成斜槽，其中，所述波導層包括第一包層、第二包層、以及位于所述第一包層和所述第二包層之間的波導芯層，所述斜槽貫穿所述第一包層及所述波導芯層，且所述斜槽包括第一側面和第二側面，所述第一側面靠近所述波導芯層的光路側設置，所述第二側面遠離所述光路側設置；

將所述光收發芯片安裝在所述波導層表面，且所述光收發芯片覆蓋所述斜槽的開口，以使所述光路側的傳輸光線經所述第一側面反射后在所述波導層和所述光收發芯片之間傳輸。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述在波導層形成斜槽，包括：

使所述波導層相對于刻蝕方向傾斜設置，對所述波導層進行刻蝕處理，形成所述斜槽。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕處理包括離子刻蝕處理或激光刻蝕處理。

11.根據權利要求9或10所述的制備方法，其特征在于，對所述波導層進行刻蝕處理后，所述在波導層形成斜槽還包括：對形成的所述斜槽的第一側面進行拋光處理。

12.根據權利要求8-11任一項所述的制備方法，其特征在于，在波導層形成斜槽前，所述制備方法還包括：

在所述波導層的表面形成連接件，且所述連接件設置在所述斜槽的開口周側；

或者，

在波導層形成斜槽后，在將所述光收發芯片安裝在所述波導層表面前，所述制備方法還包括：

在所述波導層的表面形成連接件，且所述連接件設置在所述斜槽的開口周側。