[發明專利]一種柔性襯底高遷移率氧化物半導體薄膜室溫生長與后處理方法

有效

• 申請號: 202011097626.0
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112289677B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 馬建
• 申請（專利權）人: 滕州創感電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 杭州宇信知識產權代理事務所(普通合伙) 33231
• 代理人: 王煦麗

1.一種柔性襯底高遷移率氧化物半導體薄膜室溫生長與后處理方法，其特征在于：在有機柔性襯底上氧化氣氛室溫生長氧化物半導體薄膜，然后進行后處理，所述后處理方法依次包括Ar等離子體處理、脈沖激光處理、O₂等離子體處理以及紫外光處理四個步驟，且四個步驟均在室溫下操作、所述柔性襯底不加熱；所述氧化氣氛室溫生長在N₂O-O₂混合氣氛中進行，所述脈沖激光處理在N₂工作氣氛中進行。

2.根據權利要求1所述一種柔性襯底高遷移率氧化物半導體薄膜室溫生長與后處理方法，其特征在于：所述氧化氣氛室溫生長為：采用薄膜沉積方法，以N₂O-O₂混合氣體為工作氣氛，氣氛總壓強為2~6Pa，N₂O:O₂分壓比為3:7~1:9，在有機柔性襯底上室溫生長氧化物半導體薄膜。

3.根據權利要求1所述一種柔性襯底高遷移率氧化物半導體薄膜室溫生長與后處理方法，其特征在于：所述Ar等離子體處理為：Ar氣壓強5～7Pa，功率70～80W，Ar等離子體轟擊所述氧化物半導體薄膜12～16min。

4.根據權利要求1所述一種柔性襯底高遷移率氧化物半導體薄膜室溫生長與后處理方法，其特征在于：所述脈沖激光處理為：N₂工作氣氛，激光功率5~9mJ/cm²，對所述氧化物半導體薄膜照射時間25~30ns，脈沖次數1次。

5.根據權利要求1所述一種柔性襯底高遷移率氧化物半導體薄膜室溫生長與后處理方法，其特征在于：所述O₂等離子體處理為：O₂氣壓強7～10Pa，功率15～20W，O₂等離子體轟擊所述氧化物半導體薄膜40～45min。

6.根據權利要求1所述一種柔性襯底高遷移率氧化物半導體薄膜室溫生長與后處理方法，其特征在于：所述紫外光處理為：254nm紫外光，功率300~400mW/cm²，對所述氧化物半導體薄膜照射時間25~30min。

7.根據權利要求1所述一種柔性襯底高遷移率氧化物半導體薄膜室溫生長與后處理方法，其特征在于：所述高遷移率指Hall遷移率超過100cm²/Vs。

8.根據權利要求1所述一種柔性襯底高遷移率氧化物半導體薄膜室溫生長與后處理方法，其特征在于： 所述氧化物半導體薄膜為ZnO、SnO₂、In₂O₃、Ga₂O₃、TiO₂、InGaZnO、ZnAlSnO薄膜中的任一種。

9.根據權利要求1所述一種柔性襯底高遷移率氧化物半導體薄膜室溫生長與后處理方法，其特征在于：所述柔性襯底為有機聚合物柔性襯底。