[發明專利]一種薄膜體聲波諧振器

在審

• 申請號: 202011097293.1
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112242826A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 竇韶旭;吳珂;韓琦;呂麗英;吳一雷;楊帥;王超
• 申請（專利權）人: 瑞聲聲學科技（深圳）有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/17
• 代理公司: 深圳君信誠知識產權代理事務所(普通合伙) 44636
• 代理人: 劉偉

本發明提供了一種薄膜體聲波諧振器，薄膜體聲波諧振器包括：基底；聲反射結構，聲反射結構從基底上表面向下嵌入基底中或設置于基底上方；壓電振動組件，壓電振動組件設于聲反射結構上方，壓電振動組件包括壓電功能膜、以及設置在壓電功能膜兩相對表面上的第一電極、第二電極；質量負載環，質量負載環具有一通孔空腔，質量負載環設于壓電振動組件的上方或下方；隔離層，隔離層設于質量負載環與壓電振動組件之間；聲反射結構、第一電極、壓電功能膜與第二電極的投影重疊區域界定一有效區域；質量負載環沿有效區域的邊緣區域設置，質量負載環的內邊沿小于有效區域的外邊沿，其外邊沿大于、等于或者小于有效區域的外邊沿。

【技術領域】

本發明涉及半導體器件領域，尤其涉及一種薄膜體聲波諧振器。

【背景技術】

薄膜體聲波諧振器是無線收發器中實現鏡像消除、寄生濾波和信道選擇等功能的主要器件，其具有較高的Q值(品質因數)，并易于實現微型化。

薄膜體聲波諧振器通常包括：基底、從所述基底上表面向下嵌入基底中的或在所述基底上方的聲反射結構；在所述聲反射結構上方的第一電極；在所述第一電極上方的壓電功能膜；以及在所述壓電功能膜上方的第二電極。薄膜體聲波諧振器的Q值受到壓電功能膜能量損耗因素的影響，特別是對于邊緣區域而言，為此，在諧振器的第一電極或第二電極上設置一質量負載環，通過質量負載環俘獲轉化成側向的聲波，減小薄膜體聲波諧振器邊緣區域的能量損耗。

【發明內容】

本發明的目的在于提供一種薄膜體聲波諧振器，用于解決現有技術中薄膜體聲波諧振器Q值低的問題。

本發明的技術方案如下：

一種薄膜體聲波諧振器，所述薄膜體聲波諧振器包括：

基底；

聲反射結構，所述聲反射結構從所述基底上表面向下嵌入所述基底中或設置于所述基底上方；

壓電振動組件，所述壓電振動組件設于所述聲反射結構上方，所述壓電振動組件包括壓電功能膜、以及設置在所述壓電功能膜兩相對表面上的第一電極、第二電極；

質量負載環，所述質量負載環具有一通孔空腔，所述質量負載環設于所述壓電振動組件的上方或下方；

隔離層，所述隔離層設于所述質量負載環與所述壓電振動組件之間；

所述聲反射結構、所述第一電極、所述壓電功能膜與所述第二電極的投影重疊區域界定一有效區域；

所述質量負載環沿所述有效區域的邊緣區域設置，所述質量負載環的內邊沿小于所述有效區域的外邊沿，所述質量負載環的外邊沿大于、等于或者小于所述有效區域的外邊沿。

本發明的有益效果在于：

由于壓電振動組件與質量負載環之間設置有一隔離層，進一步減小壓電功能膜在側向的能量損失，提高薄膜體聲波諧振器的Q值。

【附圖說明】

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例一的薄膜體聲波諧振器的結構示意圖。

圖2為圖1的A-A剖面結構示意圖。

圖3為本發明實施例二的薄膜體聲波諧振器的剖面結構示意圖。

圖4為本發明實施例三的薄膜體聲波諧振器的剖面結構示意圖。

【具體實施方式】