[發明專利]金屬互連結構的形成方法

在審

• 申請號: 202011096734.6
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112289738A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 宗立超;王星杰
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 黎偉

1.一種金屬互連結構的形成方法，其特征在于，所述方法應用于高壓器件的后端工序中，所述方法包括：

對第一IMD進行刻蝕，形成第一通孔，所述第一IMD下形成有所述高壓器件；

形成第一金屬層，所述第一金屬層填充所述第一通孔，對所述第一金屬層進行平坦化處理，去除所述第一通孔外其它區域的第一金屬層，所述第一通孔內的第一金屬層形成第一接觸通孔；

在所述第一IMD上形成第二IMD；

對所述第二IMD進行刻蝕，形成第二通孔，其中，對所述第二IMD進行刻蝕時使用的掩模版和對所述第一IMD進行刻蝕時使用的掩模版相同；

形成第二金屬層，所述第二金屬層填充所述第二通孔，對所述第二金屬層進行平坦化處理，去除所述第二通孔外其它區域的第二金屬層，所述第二通孔內的第二金屬層形成第二接觸通孔，所述第二接觸通孔的底部與所述第一接觸通孔的頂部連接；

當所述第一IMD和所述第二IMD的厚度之和大于目標厚度時，所述第二接觸通孔用于和后續工序中形成的電極連接，所述目標厚度大于6微米。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一通孔的頂部包括截面為梯形的第一開口；

所述對第一IMD進行刻蝕，包括：

通過光刻工藝在所述第一IMD上除第一目標區域以外的其它區域覆蓋光阻，所述第一目標區域是所述第一通孔所對應的區域；

進行各向同性刻蝕，在所述第一目標區域形成所述第一開口；

進行各向異性刻蝕，從所述第一開口向下刻蝕至目標深度；

去除所述光阻。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對第二IMD進行刻蝕，包括：

通過光刻工藝在所述第二IMD上除目標區域以外的其它區域覆蓋光阻，所述第二目標區域是所述第二通孔所對應的區域；

進行各向異性刻蝕，刻蝕至所述第一接觸通孔暴露；

去除所述光阻。

4.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述第一IMD中形成有至少兩個所述第一接觸通孔，所述第二IMD中形成的所述第二接觸通孔的數量與所述第一IMD中形成的所述第一接觸通孔的數量相同，每個所述第二接觸通孔的下方連接有一個所述第一接觸通孔。

5.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述形成第一金屬層，包括：

通過PVD工藝在所述第一IMD上沉積鋁層，形成所述第一金屬層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成第二金屬層，包括：

通過PVD工藝在所述第二IMD上沉積鋁層，形成所述第二金屬層。

7.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述形成第一金屬層，包括：

通過CVD工藝在所述第一IMD上沉積鎢層，形成所述第一金屬層。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成第二金屬層，包括：

通過CVD工藝在所述第二IMD上沉積鎢層，形成所述第二金屬層。

9.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述形成第一金屬層，包括：

通過電鍍工藝在所述第一IMD上形成銅層，形成所述第一金屬層。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述形成第二金屬層，包括：

通過電鍍工藝在所述第二IMD上形成銅層，形成所述第二金屬層。