[發(fā)明專利]一種二氧化鈦單晶外延薄膜的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011096288.9 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112251810B | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳長(zhǎng)征;代保湖;謝毅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C30B29/16 | 分類號(hào)： | C30B29/16;C30B25/14;C30B25/18;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/455 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 氧化 鈦單晶 外延 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種二氧化鈦單晶同質(zhì)外延薄膜的制備方法，包括以下步驟：
A)在基底表面生長(zhǎng)二氧化鈦納米線單晶陣列；
B)將步驟A)得到的基底置于反應(yīng)器中，在反應(yīng)器中通入鈦源后再通入水進(jìn)行原子層沉積；
C)重復(fù)步驟B)數(shù)次，得到二氧化鈦單晶同質(zhì)外延薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟A)之后還包括：
將二氧化鈦納米線單晶陣列進(jìn)行退火處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，鈦源選自四(二甲氨基)鈦、四氯化鈦、四異丙醇鈦和叔丁醇鈦中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述原子層沉積之前，所述鈦源的溫度為80～100℃，所述水的溫度為20～30℃，所述二氧化鈦納米線單晶陣列的溫度為200～300℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鈦源的通入方式具體為通入0.1～1s后抽真空5～10s。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述水的通入方式具體為通入0.1～1s后抽真空5～10s。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述反應(yīng)器的壓強(qiáng)為200～500Pa，所述反應(yīng)器的溫度為200～300℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述通入鈦源和所述通入水的載氣為氮?dú)猓魉贋?0～50sccm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述外延薄膜的生長(zhǎng)速率為0.247nm/min。
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