[發(fā)明專利]MOS器件的制作方法及其版圖

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011096035.1
• 申請(qǐng)日: 2020-10-14
• 公開（公告）號(hào): CN112259460B
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳瑜;陳華倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底上形成有柵氧，所述柵氧上形成有柵極；

通過光刻工藝在所述襯底上的目標(biāo)區(qū)域覆蓋光阻，所述襯底上暴露的區(qū)域是需要離子注入的區(qū)域；

進(jìn)行口袋注入，所述口袋注入的離子不會(huì)注入至所述MOS器件的溝道區(qū)域，所述口袋注入的方向在所述襯底上的投影與所述MOS器件的溝道的垂直方向的夾角為q，所述口袋注入的方向與所述襯底所在平面的垂直方向的夾角為t，所述光阻與所述柵極的距離為S，所述光阻的厚度為T，所述q、所述t、所述S和所述T滿足以下公式：

S＜T·tan(t)·sin(q)；

進(jìn)行LDD注入，在所述柵極兩側(cè)的襯底中形成LDD區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述口袋注入的離子類型和所述LDD注入的離子類型不同；

當(dāng)所述LDD注入的離子的類型為P型時(shí)，所述口袋注入的離子的類型為N型，當(dāng)所述LDD注入的離子的類型為N型時(shí)，所述口袋注入的離子的類型為P型。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述MOS器件應(yīng)用于數(shù)字邏輯電路。

4.一種MOS器件的版圖，其特征在于，包括：

柵極圖形；

光阻圖形，所述光阻圖形位于所述柵極圖形的周側(cè)，所述光阻圖形與所述柵極圖形的距離滿足在通過所述版圖對(duì)所述MOS器件進(jìn)行制作的過程中，對(duì)所述MOS器件進(jìn)行口袋注入時(shí)的離子不會(huì)注入至所述MOS器件的溝道區(qū)域；

所述口袋注入的方向在所述MOS器件的襯底上的投影與所述MOS器件的溝道的垂直方向的夾角為q，所述口袋注入的方向與所述襯底所在平面的垂直方向的夾角為t，所述口袋注入中的光阻與所述柵極圖形對(duì)應(yīng)的柵極的距離為S，所述光阻的厚度為T，所述q、所述t、所述S和所述T滿足以下公式：

S＜T·tan(t)·sin(q)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的版圖，其特征在于，所述MOS器件應(yīng)用于數(shù)字邏輯電路。