[發(fā)明專利]芯片微小模擬信號(hào)測(cè)試方法和測(cè)試裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011095943.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112305406A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 謝晉春;辛吉升 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 微小 模擬 信號(hào) 測(cè)試 方法 裝置 | ||
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體的晶圓級(jí)測(cè)試領(lǐng)域,具體涉及一種芯片微小模擬信號(hào)測(cè)試方法和測(cè)試裝置。其中方法包括:獲取目標(biāo)微小模擬信號(hào);通過(guò)特定時(shí)間間隔,對(duì)所述目標(biāo)微小模擬信號(hào)進(jìn)行采樣,獲取若干采樣點(diǎn),每個(gè)采樣點(diǎn)對(duì)應(yīng)有采樣值;根據(jù)采樣點(diǎn)的采樣值,判斷所述采樣點(diǎn)是否為干擾信號(hào)點(diǎn);剔除為干擾信號(hào)點(diǎn)的采樣點(diǎn),將剩余采樣點(diǎn)的采樣值進(jìn)行平均,獲取所述目標(biāo)微小模擬信號(hào)的去噪信號(hào)均值;確定可信度檢測(cè)區(qū)間;若所述去噪信號(hào)均值位于所述可信度檢測(cè)區(qū)間內(nèi),確定所述去噪信號(hào)均值為所述目標(biāo)微小模擬信號(hào)的信號(hào)值;其中裝置用于執(zhí)行上述方法。本申請(qǐng)?zhí)峁┑男酒⑿∧M信號(hào)測(cè)試方法和測(cè)試裝置,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)芯片的模擬微小信號(hào)進(jìn)行穩(wěn)定準(zhǔn)確地測(cè)試。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體的晶圓級(jí)測(cè)試領(lǐng)域,具體涉及一種芯片微小模擬信號(hào)測(cè)試方法和測(cè)試裝置。
背景技術(shù)
在晶圓出廠前,需要對(duì)其進(jìn)行晶圓級(jí)測(cè)試,即逐次測(cè)試目標(biāo)晶圓上的目標(biāo)芯片,以判斷目標(biāo)芯片性能的好壞。在晶圓芯片測(cè)試中,目標(biāo)晶圓被安裝在測(cè)試機(jī)臺(tái)上,其上目標(biāo)芯片的測(cè)試焊盤(pán)(pad)通過(guò)探針卡與測(cè)試機(jī)臺(tái)電性耦合,由測(cè)試機(jī)臺(tái)通過(guò)執(zhí)行測(cè)試指令,以完成對(duì)目標(biāo)芯片的測(cè)試過(guò)程。測(cè)試完一個(gè)芯片,探針卡與下一目標(biāo)芯片的測(cè)試焊盤(pán)電性耦合,以繼續(xù)進(jìn)行測(cè)試。
在進(jìn)行晶圓級(jí)測(cè)試時(shí),通常還需對(duì)目標(biāo)芯片進(jìn)行模擬測(cè)試,以獲取目標(biāo)芯片的模擬信號(hào)。由于模擬測(cè)試過(guò)程會(huì)受到測(cè)試機(jī)臺(tái)本身精度和探針卡抗干擾能力等硬件性能的影響,使得所獲取目標(biāo)芯片的模擬信號(hào)中疊加干擾信號(hào)。尤其對(duì)于信號(hào)值微小的微小信號(hào),相關(guān)技術(shù)很難通過(guò)改善硬件性能以消除所疊加的干擾信號(hào),因此對(duì)微小信號(hào)進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)試更為困難。
為此,采用何種測(cè)試方法,以實(shí)現(xiàn)對(duì)模擬微小信號(hào)進(jìn)行穩(wěn)定準(zhǔn)確地測(cè)試是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N芯片微小模擬信號(hào)測(cè)試方法和測(cè)試裝置,以實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的模擬微小信號(hào)進(jìn)行穩(wěn)定準(zhǔn)確地測(cè)試。
作為本申請(qǐng)的第一方面,提供一種芯片微小模擬信號(hào)測(cè)試方法,所述芯片微小模擬信號(hào)測(cè)試方法包括:
獲取目標(biāo)微小模擬信號(hào);
通過(guò)特定時(shí)間間隔,對(duì)所述目標(biāo)微小模擬信號(hào)進(jìn)行采樣,獲取若干采樣點(diǎn),每個(gè)采樣點(diǎn)對(duì)應(yīng)有采樣值;
根據(jù)采樣點(diǎn)的采樣值,判斷所述采樣點(diǎn)是否為干擾信號(hào)點(diǎn);
剔除為干擾信號(hào)點(diǎn)的采樣點(diǎn),將剩余采樣點(diǎn)的采樣值進(jìn)行平均,獲取所述目標(biāo)微小模擬信號(hào)的去噪信號(hào)均值;
確定可信度檢測(cè)區(qū)間;
若所述去噪信號(hào)均值位于所述可信度檢測(cè)區(qū)間內(nèi),確定所述去噪信號(hào)均值為所述目標(biāo)微小模擬信號(hào)的信號(hào)值。
可選的,還包括:確定干擾信號(hào)的時(shí)間跨度范圍;
使得所述特定時(shí)間間隔大于所述干擾信號(hào)的時(shí)間跨度范圍。
可選的,所述確定干擾信號(hào)的時(shí)間跨度范圍的步驟,包括:
提供隨機(jī)干擾信號(hào)生成模型,所述隨機(jī)干擾信號(hào)生成模型能夠生成滿足隨機(jī)分布的干擾信號(hào);
根據(jù)所述隨機(jī)干擾信號(hào)生成模型,確定所述干擾信號(hào)時(shí)間跨度的概率分布;
根據(jù)所述干擾信號(hào)時(shí)間跨度的概率分布,確定所述干擾信號(hào)的時(shí)間跨度范圍。
可選的,所述根據(jù)采樣點(diǎn)的采樣值,判斷所述采樣點(diǎn)是否為干擾信號(hào)點(diǎn)的步驟,包括:
連續(xù)以特定時(shí)間間隔采樣N次,獲取N個(gè)采樣點(diǎn)及其對(duì)應(yīng)的采樣值;
按采樣值的大小順序?qū)?duì)應(yīng)的N個(gè)采樣點(diǎn)進(jìn)行排序;
確定N個(gè)采樣值的中間值作為有效采樣值;
將各個(gè)采樣點(diǎn)的采樣值與所述有效采樣值進(jìn)行比較;
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- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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