[發(fā)明專利]一種N型單晶硅HBC太陽(yáng)能電池的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011095769.8
• 申請(qǐng)日: 2020-10-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112420880A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張小明;林綱正;盛健;解觀超;陳剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江愛(ài)旭太陽(yáng)能科技有限公司;廣東愛(ài)旭科技有限公司;天津愛(ài)旭太陽(yáng)能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/20
• 分類號(hào): H01L31/20;H01L31/0747;H01L21/268;H01L21/263
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 李素蘭;何鍵云

1.一種N型單晶硅HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，包括：

一、對(duì)N型單晶硅片進(jìn)行預(yù)處理，在預(yù)處理后的N型單晶硅片的正面依次形成第一本征非晶硅層和減反層，在預(yù)處理后的N型單晶硅片的背面依次形成第二本征非晶硅層、第一摻雜非晶硅層和隔離層；

二、采用激光來(lái)刻蝕隔離層，刻蝕至第一摻雜非晶硅層的表面形成第一隔離槽，所述第一隔離槽與未被刻蝕的隔離層交替排列；

三、除去第一隔離槽內(nèi)的第二本征非晶硅層和第一摻雜非晶硅層，將N型單晶硅裸露出來(lái)，形成第二隔離槽；

四、除去剩余的隔離層，將第一摻雜非晶硅層裸露出來(lái)；

五、在第二隔離槽的N型單晶硅片上依次形成第三本征非晶硅層和第二摻雜非晶硅層；

六、在第一摻雜非晶硅層和第二摻雜非晶硅層上形成透明導(dǎo)電膜層；

七、對(duì)透明導(dǎo)電膜層進(jìn)行刻蝕，刻蝕至第一摻雜非晶硅層或第二摻雜非晶硅層，形成第三隔離槽，以將第一摻雜非晶硅層和第二摻雜非晶硅層上的透明導(dǎo)電膜層分開(kāi)；

八、在第一摻雜非晶硅層和第二摻雜非晶硅層的透明導(dǎo)電膜層上分別形成金屬電極。

2.如權(quán)利要求1所述的N型單晶硅HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，步驟(一)中，所述隔離層的材料選自氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一種或幾種，其厚度為50～100nm；

所述隔離層、第二本征非晶硅層和第一摻雜非晶硅層均采用PECVD沉積法形成。

3.如權(quán)利要求2所述的N型單晶硅HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，步驟(二)中，采用紫外皮秒激光來(lái)刻蝕隔離層，其中，激光波長(zhǎng)為330～370nm，光斑的重疊度為5％～15％。

4.如權(quán)利要求3所述的N型單晶硅HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，光斑直徑為10～20μm。

5.如權(quán)利要求4所述的N型單晶硅HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述第一隔離槽的寬度為10～20μm。

6.如權(quán)利要求1所述的N型單晶硅HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，步驟(三)中，采用堿液來(lái)刻蝕第一隔離槽內(nèi)的第二本征非晶硅層和第一摻雜非晶硅層，所述堿液為10％～39％KOH溶液。

7.如權(quán)利要求1所述的N型單晶硅HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，步驟(四)中，采用酸液來(lái)除去剩余的隔離層，所述酸液為HF和HCl混合液。

8.如權(quán)利要求1所述的N型單晶硅HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，步驟(五)中，采用掩膜法在第二隔離槽的N型單晶硅片上依次形成第三本征非晶硅層和第二摻雜非晶硅層，其中，所述掩膜法包括：

(11)在第一摻雜非晶硅層上形成掩膜層；

(12)在掩膜層和第二隔離槽的N型單晶硅片上形成第三本征非晶硅層和第二摻雜非晶硅層；

(13)除去掩膜層及掩膜層上的第三本征非晶硅層和第二摻雜非晶硅層，將第一摻雜非晶硅層裸露出來(lái)。

9.如權(quán)利要求8所述的N型單晶硅HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，步驟(11)中，所述掩膜層的材料為油墨，其中，將油墨印刷在第一摻雜非晶硅層上，烘干后的油墨形成致密絕緣和耐酸腐蝕的掩膜層。

10.如權(quán)利要求8所述的N型單晶硅HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，步驟(13)中，采用堿液來(lái)除去掩膜層、第三本征非晶硅層和第二摻雜非晶硅層，將第三本征非晶硅層和第二摻雜非晶硅層保留在第二隔離槽內(nèi)；

所述堿液為KOH溶液，濃度為1.5％～3％。

11.如權(quán)利要求1所述的N型單晶硅HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，步驟(六)中，所述透明導(dǎo)電膜層的材料選自氧化銦錫、氧化銦、摻鈦氧化銦、摻鋁氧化鋅和摻鎢氧化銦中的一種或幾種，其厚度為10～150nm。

12.如權(quán)利要求1所述的N型單晶硅HBC太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，步驟(八)中，采用絲網(wǎng)印刷的方法在透明導(dǎo)電膜層上形成金屬電極。