[發明專利]一種2.5D電子封裝結構

在審

• 申請號: 202011095552.7
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112234027A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 朱琳
• 申請（專利權）人: 天津津航計算技術研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48;H01L23/492
• 代理公司: 中國兵器工業集團公司專利中心 11011
• 代理人: 辛海明

1.一種2.5D電子封裝結構，其特征在于，包括：

一種具有第一和第二主表面并有多個有源器件的集成電路，所述集成電路的安裝使集成電路的第一主表面與封裝基板之間的連接成為可能；多個互連層和金屬間介電層位于所述集成電路中，所述多個互連層中最高層的厚度不大于所述互連層中任何其他一層的厚度；

一種具有第一和第二主表面的封裝基板；

一種集成電路和封裝基板之間的轉接板，封裝基板與安裝在所述轉接板上的集成電路相連接，所述轉接板中的至少一個互連層主要用于在集成電路中進行配電，此互連層擴展到整個所述轉接板的寬度。

2.如權利要求1所述的2.5D電子封裝結構，其特征在于：所述集成電路中的多個互連層是垂直疊加的。

3.如權利要求1所述的2.5D電子封裝結構，其特征在于：所述轉接板為包括具有第一和第二主表面的半導體材料，并且在所述轉接板的第一和第二主表面之間有多個導電通孔。

4.如權利要求1所述的2.5D電子封裝結構，其特征在于：所述集成電路以倒裝芯片的方式安裝在所述轉接板上。

5.如權利要求1所述的2.5D電子封裝結構，其特征在于：所述轉接板是一種薄的、扁平的基板，具有第一和第二主表面，在兩個主表面上都有互連層。

6.如權利要求1所述的2.5D電子封裝結構，其特征在于：所述集成電路是由硅制成的，所述轉接板是具有第一和第二主表面的薄硅層，所述轉接板具有提供第一和第二主表面之間電導的多個硅通孔。

7.如權利要求6所述的2.5D電子封裝結構，其特征在于：所述轉接板的厚度為100微米或更少，而硅通孔的直徑為10微米或更小。

8.一種2.5D電子封裝結構，其特征在于，包括：

一種具有第一和第二表面并有多個有源器件的集成電路，所述集成電路的安裝使集成電路的第一主表面與封裝基板之間的連接成為可能；多個互連層和金屬間介電層在所述集成電路中，所述多個互連層中最高層的厚度不大于所述互連層中任何其他一層的厚度；

一種具有第一和第二主表面的封裝基板；

一種集成電路和封裝基板之間的轉接板，所述集成電路安裝在所述轉接板上，所述轉接板中至少有一個互連層用于集成電路中的配電，且所述互連層至少和所述集成電路一樣寬。

9.如權利要求8所述的2.5D電子封裝結構，其特征在于：所述轉接板為包括具有第一和第二主表面的半導體材料，并且在所述轉接板的第一和第二主表面之間具有多個導電通孔。

10.如權利要求8所述的2.5D電子封裝結構，其特征在于：所述集成電路以倒裝芯片的方式安裝在所述轉接板上。