[發明專利]一種版圖邊界圖案的修正方法與修正系統

有效

• 申請號: 202011095237.4
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112015058B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 趙廣;羅招龍;朱安康;魏來
• 申請（專利權）人: 南京晶驅集成電路有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 林凡燕

本發明提出一種版圖邊界圖案的修正方法與修正系統，包括：預設一版圖參數，其中，所述版圖參數包括圖案尺寸的模擬目標值；進行劃分步驟，將版圖劃分成多個子版圖；對任一所述子版圖的邊界圖案進行修正，并記錄修正次數，以獲得所述圖案尺寸的模擬實際值；判斷所述圖案尺寸的模擬實際值與所述圖案尺寸的模擬目標值的差值是否處于閾值內；若是，則根據所述修正次數，對其他所述子版圖的邊界圖案進行修正；若否，則建立修正曲線，并根據所述修正曲線選擇修正次數區間，并根據所述修正次數區間內的修正次數對所述子版圖的邊界圖案再次進行修正。本發明提出的版圖邊界圖案的修正方法可以提高修正效率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種版圖邊界圖案的修正方法與修正系統。

背景技術

隨著集成電路的持續發展，制造技術不斷地朝更小的尺寸發展，光刻制程已經成為限制集成電路向更小特征尺寸發展的主要瓶頸。在深亞微米的半導體制造過程中，特征尺寸已經遠遠小于光源的波長，由于光波的性質和實際投影曝光系統的問題，會有衍射受限或者成像系統的非線性濾波造成嚴重的能量損失，即光學近似效應（Optical ProximityEffect，OPE），從而不可避免的就會導致在將掩模版上的圖案轉移到晶圓的過程中會發生失真現象，如拐角圓化、線端縮進、線寬不一致或者紋波等，如果不消除這種失真現象將會導致晶圓上的圖像變形。為了補償OPE產生的影響，設計者需要根據一定的規則，在設計目標圖形的基礎上直接進行修改之后再進行掩模版的制版工作。這個修正過程稱為光刻鄰近效應修正（Optical Proximity Correction，OPC），例如將線尾修改成錘頭（hammer head）之類的圖形等。OPC處理之后的圖形再經過OPE的影響，會在晶圓上形成與原本設計的目標圖形接近的圖形，即達到OPC的設計目標，將光刻后的光刻圖形盡可能的接近用戶實際希望得到的目標圖形。在OPC處理中，版圖的邊界的圖案的模擬值的變化范圍大，不穩定，因此導致顯影之后的圖案的誤差大，嚴重影響芯片的性能。

發明內容

鑒于上述現有技術的缺陷，本發明提出一種版圖邊界圖案的修正方法與修正系統，該修正方法可以保證版圖邊界圖案在修正過程中的變化范圍變小，趨于穩定。

為實現上述目的及其他目的，本發明提出一種版圖邊界圖案的修正方法，包括：

預設一版圖參數，其中，所述版圖參數包括圖案尺寸的模擬目標值；

進行劃分步驟，將版圖劃分成多個子版圖；

對任一所述子版圖的邊界圖案進行修正，并記錄修正次數，以獲得所述圖案尺寸的模擬實際值；

判斷所述圖案尺寸的模擬實際值與所述圖案尺寸的模擬目標值的差值是否處于閾值內；

若是，則根據所述修正次數，對其他所述子版圖的邊界圖案進行修正；

若否，則建立修正曲線，并根據所述修正曲線選擇修正次數區間，并根據所述修正次數區間內的修正次數對所述子版圖的邊界圖案再次進行修正，以使所述圖案尺寸的模擬實際值與所述圖案尺寸的模擬目標值的差值在所述閾值內。

進一步地，還包括根據所述圖案尺寸的模擬實際值在晶圓上模擬曝光、顯影步驟，以在所述晶圓上獲得模擬的圖案尺寸。

進一步地，所述圖案尺寸的模擬實際值大于或小于所述圖案尺寸的模擬目標值。

進一步地，所述版圖參數還包括多條切割線參數，根據所述切割線參數進行所述劃分步驟。

進一步地，所述修正曲線為表示修正次數與模擬誤差的曲線；其中，所述模擬誤差表示所述圖案尺寸的模擬實際值與所述圖案尺寸的模擬目標值的差值。

進一步地，當所述修正曲線中包括第一修正次數區間和第二修正次數區間時，則根據順序關系選擇所述第一修正次數區間或所述第二修正次數區間。