[發(fā)明專利]多層單元非易失性存儲(chǔ)器的一種編程方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011095110.2
• 申請(qǐng)日: 2020-10-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112201293A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 耿志遠(yuǎn);陳惕生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 本征信息技術(shù)（上海）有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/10
• 分類號(hào): G11C16/10;G11C16/34
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.多層單元非易失性存儲(chǔ)器的一種編程方法，其特征在于，所述編程方法包括：

通過(guò)編程脈沖步驟改變待編程單元的狀態(tài)模擬信號(hào)；

對(duì)每個(gè)待編程單元進(jìn)行校驗(yàn)，檢查每個(gè)待編程單元的狀態(tài)是否達(dá)到目標(biāo)狀態(tài)；

對(duì)于已經(jīng)達(dá)到目標(biāo)狀態(tài)的待編程單元進(jìn)行完全地編程抑制；

對(duì)于未達(dá)到目標(biāo)狀態(tài)的待編程單元，根據(jù)其目標(biāo)狀態(tài)或者當(dāng)前狀態(tài)及目標(biāo)狀態(tài)，進(jìn)行部分地編程抑制或完全地編程抑制，以調(diào)整其有效編程脈沖時(shí)間；

循環(huán)執(zhí)行以上步驟直到所有單元達(dá)到其目標(biāo)狀態(tài)或循環(huán)次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)上限。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的編程方法，其特征在于，所述的非易失性存儲(chǔ)器為多層單元NAND閃存。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的編程方法，其特征在于，所述編程脈沖步驟是指，

將所有待編程單元的位線電壓升高至第一電壓，使得部分或所有待編程單元進(jìn)入編程抑制狀態(tài)；

升高待編程單元所在塊的所有柵極電壓至第二電壓；

然后升高待編程單元所在字線的柵極電壓至第三電壓；

對(duì)每個(gè)待編程單元，在延遲第一時(shí)間后，將其位線電壓降低至第四電壓；

在所述第三電壓升高之后延遲第二時(shí)間，編程脈沖步驟結(jié)束，降低各柵極電壓和位線電壓至編程脈沖步驟開(kāi)始前的狀態(tài)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的編程方法，其特征在于，所述第一時(shí)間是根據(jù)每個(gè)待編程單元的目標(biāo)狀態(tài)或目標(biāo)狀態(tài)和當(dāng)前狀態(tài)來(lái)確定，同一編程脈沖步驟中目標(biāo)狀態(tài)與初始狀態(tài)或當(dāng)前狀態(tài)差別越大的單元的第一時(shí)間越短。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的編程方法，其特征在于，一個(gè)編程脈沖步驟中，待編程單元的有效編程脈沖時(shí)間或第二時(shí)間與編程脈沖過(guò)程中編程電壓的持續(xù)時(shí)間的比值與單元的目標(biāo)閾值電壓與初始閾值電壓或擦除狀態(tài)閾值電壓的差近似成正比。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的編程方法，其特征在于，一個(gè)編程脈沖步驟中，待編程單元的有效編程脈沖時(shí)間或第二時(shí)間與編程脈沖過(guò)程中編程電壓的持續(xù)時(shí)間的比值與單元的目標(biāo)閾值電壓與當(dāng)前閾值電壓的差近似成正比。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的編程方法，其特征在于，所述編程脈沖步驟的第三電壓隨著循環(huán)次數(shù)的增加可以變化或不變。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的編程方法，其特征在于，所述編程脈沖步驟的第一時(shí)間隨著循環(huán)次數(shù)的增加可以變化或不變。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的編程方法，其特征在于，所述編程脈沖步驟的編程電壓的持續(xù)時(shí)間隨著循環(huán)次數(shù)的增加可以變化或不變。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的編程方法，其特征在于，所述編程脈沖步驟的編程電壓的持續(xù)時(shí)間和第三電壓隨著循環(huán)次數(shù)的增加可以遞減。

11.一種多層單元非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，使用權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的方法。