[發明專利]半導體布置及其形成方法

在審

• 申請號: 202011094327.1
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112687660A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 林舜寬;黃仲仁;吳雲驥;楊宗諭
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體布置，其特征在于，包括：

一第一介電特征，穿過一半導電層及在一基板之上的一第一介電層；以及

一導電特征，穿過該半導電層及該第一介電層且電耦接至該基板，該導電特征與該第一介電特征相鄰且通過該第一介電特征與該半導電層電隔離。

2.根據權利要求1所述的半導體布置，其特征在于，包括：

穿過該半導電層及該第一介電層的一第二介電特征，該導電特征與該第二介電特征相鄰且處于該第一介電特征與該第二介電特征之間。

3.根據權利要求1所述的半導體布置，其特征在于，包括：

在該半導電層中的一淺溝槽隔離區域，其中該第一介電特征及該導電特征穿過該淺溝槽隔離區域。

4.根據權利要求1所述的半導體布置，其特征在于，包括：

在該基板中的一摻雜區域，其中該導電特征電耦接至該摻雜區域。

5.一種形成一半導體布置的方法，其特征在于，其特征在于，包括：

在一堆疊中的一第一開口中形成一介電材料層；以及

在該介電材料層中的一第二開口中形成一導電材料層，其中該導電材料層建立經由該堆疊至下伏于該堆疊的一基板的一導電通路。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，包括：

形成該第一開口，其中形成該第一開口包括：

移除在該基板之上的一第一介電層的一部分；以及

移除在該第一介電層的該部分之上的一半導電層的一部分。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，包括：

減小該導電材料層的一高度，以使得在該第二開口中的該導電材料層的一最上部表面在該半導電層的一最上部表面下方。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，包括：

在形成該導電材料層之前，移除該介電材料層的一第一部分以暴露該基板的一部分，其中該導電通路經過該基板的該部分。

9.一種形成半導體布置的方法，其特征在于，包括：

在一基板之上的一第一介電層中及在該第一介電層之上的一半導電層中形成一第一開口；

在該第一開口中與該第一介電層的一側壁及該半導電層的一側壁相鄰地形成一第一介電特征；以及

在該第一開口中與該第一介電特征的一側壁相鄰地形成一導電特征，該導電特征電耦接至該基板且通過該第一介電特征與該半導電層電隔離。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，包括：

摻雜該導電特征的在該導電特征中的一孔隙上方的一部分。