[發明專利]光波導制備方法及光波導在審
| 申請號: | 202011094131.2 | 申請日: | 2020-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN111983752A | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 杜凱凱;趙東峰;李琨;臧法珩;趙恩;程鑫;楊鎮源 | 申請(專利權)人: | 歌爾股份有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/124 | 分類號: | G02B6/124;G02B6/136 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 關向蘭 |
| 地址: | 261031 山東省濰*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 波導 制備 方法 | ||
本發明公開一種光波導制備方法及光波導,其中,所述光波導制備方法,包括以下步驟:提供一襯底,所述襯底上形成有待刻蝕基體,所述待刻蝕基體為無機材料;于所述待刻蝕基體一側涂覆光刻膠;對所述光刻膠進行納米壓印,以形成納米壓印掩膜;以及采用干法刻蝕對所述納米壓印掩膜和所述待刻蝕基體進行刻蝕,以除去納米壓印掩膜,并在所述待刻蝕基體上形成目標光柵。本發明通過采用無機材料作為待刻蝕基體,在采用干法刻蝕在待刻蝕基體上形成目標光柵,所形成的目標光柵為無機材料,使目標光柵能夠具有較高的可靠性,不容易出現變黃的問題,有助于提升光波導的美觀性和使用效果。
技術領域
本發明涉及增強現實領域,特別涉及一種光波導制備方法及光波導。
背景技術
現有的AR(Augmented Reality,增強現實)光波導制備方法主要是通過納米壓印的方式在光刻膠上形成光柵圖案。直接用納米壓印方式獲得的光柵的主要成分是光刻膠,一般都是高分子聚合物,不耐高溫高濕,時間久了會變黃,影響美觀和使用效果。
發明內容
本發明的主要目的是提出一種光波導制備方法及光波導,旨在改善現有光波導制備方法形成的光柵容易影響美觀和使用效果的問題。
為實現上述目的,本發明提出的光波導制備方法,包括以下步驟:
提供一襯底,所述襯底上形成有待刻蝕基體,所述待刻蝕基體為無機材料;
于所述待刻蝕基體一側涂覆光刻膠;
對所述光刻膠進行納米壓印,以形成納米壓印掩膜;以及
采用干法刻蝕對所述納米壓印掩膜和所述待刻蝕基體進行刻蝕,以除去納米壓印掩膜,并在所述待刻蝕基體上形成目標光柵。
可選地,所述干法刻蝕的刻蝕選擇比為1。
可選地,在執行所述提供一襯底,所述襯底上形成有待刻蝕基體,所述待刻蝕基體為無機材料之后,所述光波導制備方法還包括:
于所述襯底上形成薄膜層,所述薄膜層形成所述待刻蝕基體,所述薄膜層的折射率大于所述襯底的折射率。
可選地,所述薄膜層為透明金屬氧化物制成。
可選地,所述襯底與所述待刻蝕基體為無機材料一體形成。
可選地,所述襯底的折射率大于或等于1.7。
可選地,所述襯底為玻璃襯底。
可選地,在執行于所述待刻蝕基體一側涂覆光刻膠的步驟之后,所述光波導制備方法還包括:
預設所述納米壓印掩膜的形貌,并預留所述納米壓印掩膜的刻蝕公差余量。
可選地,所述于所述待刻蝕基體一側涂覆光刻膠的步驟中,涂覆所述光刻膠的厚度小于或等于所述目標光柵的厚度。
本發明在上述光波導制備方法的基礎上,提出一種光波導,所述光波導由如上述所述的光波導制備方法制備得到。
本發明技術方案通過采用無機材料作為待刻蝕基體,在采用干法刻蝕在待刻蝕基體上形成目標光柵,所形成的目標光柵為無機材料,使目標光柵能夠具有較高的可靠性,不容易出現變黃的問題,有助于提升光波導的美觀性和使用效果。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖示出的結構獲得其他的附圖。
圖1為本發明實施例方案涉及的硬件運行環境的終端結構示意圖;
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