[發明專利]一種多層金屬防護結構、安全芯片及實現芯片防護的方法

在審

• 申請號: 202011093932.7
• 申請日: 2020-10-14
• 公開（公告）號: CN112182667A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 閆美菊;李軍;高洪福
• 申請（專利權）人: 大唐微電子技術有限公司
• 主分類號: G06F21/75
• 分類號: G06F21/75
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 龍洪

一種多層金屬防護結構、安全芯片及實現芯片防護的方法，所述多層金屬防護結構包括多個金屬防護層，每一所述金屬防護層包括M條第一金屬線，多個所述金屬防護層上的M條第一金屬線一一對應，不同金屬防護層上對應的所述第一金屬線通過金屬連接孔依次連接，構成所述多層金屬防護結構的第二金屬線的部分或全部線路。本公開還提供了一種安全芯片和實現芯片防護的方法，所述安全芯片包括芯片和本公開任一實施例所述的多層金屬防護結構。本公開采用多層金屬實現對芯片的立體防護，使芯片的物理防護能力得到提升。

技術領域

本公開涉及但不僅限于微電子技術領域，更具體地，涉及一種多層金屬防護結構、安全芯片及實現芯片防護的方法。

背景技術

針對芯片的侵入式攻擊，也稱物理攻擊，是指攻擊者采用物理手段，對芯片內部進行信息窺探和惡意破壞的行為，如差分能量攻擊、電磁輻射攻擊、或聚焦離子束(FocusedIon beam，簡稱FIB)等。一些技術中，針對物理攻擊的解決辦法是頂層金屬覆蓋，作為芯片的物理防護結構。當芯片遭受物理攻擊時，頂層金屬會遭到破壞，檢測裝置檢測到頂層金屬遭到破壞后，發出報警信號。但是，目前的頂層金屬覆蓋方法采用單層金屬實現物理防護，防護能力較弱。

發明內容

以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。

本公開實施例提供了一種芯片的多層金屬防護結構，包括多個金屬防護層，每一所述金屬防護層包括M條第一金屬線，多個所述金屬防護層上的M條第一金屬線一一對應，不同金屬防護層上對應的所述第一金屬線通過金屬連接孔依次連接，構成所述多層金屬防護結構的第二金屬線的部分或全部線路，其中，M≥1。

本公開實施例還提供了一種安全芯片，包括芯片和本公開任一實施例所述的多層金屬防護結構，所述多層金屬防護結構覆蓋在所述芯片頂部。

本公開實施例還提供了一種實現芯片防護的方法，包括：制作多個本公開任一實施例所述的多層金屬防護結構，所述多層金屬防護結構覆蓋在芯片的功能模塊和/或信號線之上；將制作的多個所述多層金屬防護結構中的第二金屬線依次連接，形成整個芯片的多層金屬立體防護結構。

本公開上述實施例提供的多層金屬防護結構、安全芯片和實現芯片防護的方法，采用多層金屬實現對芯片的立體防護，使芯片的物理防護能力得到提升，增加了芯片的安全性。

在閱讀并理解了附圖和詳細描述后，可以明白其他方面。

附圖說明

附圖用來提供對本發明技術方案的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本申請的實施例一起用于解釋本發明的技術方案，并不構成對本發明技術方案的限制。

圖1是是單層金屬覆蓋的芯片防護結構的示意圖；

圖2是對芯片防護結構進行檢測的電路原理圖；

圖3A至圖3F分別是本公開一實施例的6種最小防護單元的示意圖；

圖4是本公開一實施例的將圖3中最小防護單元隨機連接得到的金屬防護層的示意圖；

圖5是圖4中8個最小防護單元連接的示意圖；

圖6是本公開一實施例兩層金屬防護結構的一個局部的示意圖；

圖7是本公開一實施例四層金屬防護結構層間連接的示意圖；

圖8是本公開一實施例實現芯片防護的方法的流程圖。

具體實施方式