[發明專利]噴淋板、配置噴淋板的MOCVD反應系統及其使用方法

有效

• 申請號: 202011091246.6
• 申請日: 2020-10-13
• 公開（公告）號: CN114351117B
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發明（設計）人: 熊旭明;王延愷;田卡;袁文;蔡淵;迮建軍
• 申請（專利權）人: 東部超導科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;H01B12/06
• 代理公司: 蘇州維進專利代理事務所(普通合伙) 32507
• 代理人: 程東輝

1.一種MOCVD反應系統，包括：

MOCVD反應腔(1)；

布置于所述MOCVD反應腔內的加熱基板(2)；

布置于所述加熱基板上方、且帶有多個有機源氣體噴孔(301)的噴淋板(3)，所述噴淋板(3)具有沿著帶材行走方向延伸的長度和垂直于所述長度的寬度；

導熱連接于所述噴淋板寬度兩側的冷卻器(5)，以及

與所述MOCVD反應腔相通、且位于所述噴淋板寬度兩側的抽氣口；

其特征在于，所述噴淋板(3)內制有位于該噴淋板的寬度中部并且沿著該噴淋板的長度方向延伸的源反應氣體流道(302)，所述源反應氣體流道(302)的內壁面均制有向下延伸至所述噴淋板(3)下表面的多個源反應氣體噴孔(303)。

2.根據權利要求1所述的MOCVD反應系統，其特征在于，所述多個源反應氣體噴孔(303)沿著所述源反應氣體流道(302)的長度方向間隔排布。

3.根據權利要求1所述的MOCVD反應系統，其特征在于，至少其中一個源反應氣體噴孔(303)的下端孔口為外擴的喇叭口。

4.根據權利要求1至3任一所述的MOCVD反應系統，其特征在于，所述噴淋板(3)上固定連接位于所述多個源反應氣體噴孔(303)下方的導流板(4)。

5.根據權利要求4所述的MOCVD反應系統，其特征在于，所述導流板(4)的寬度大于所述多個源反應氣體噴孔(303)中任一個源反應氣體噴孔(303)的下孔口直徑。

6.根據權利要求1至3任一所述的MOCVD反應系統，其特征在于，所述噴淋板(3)內還制有分別位于所述源反應氣體流道(302)徑向兩側的兩條源反應氣體副流道(304)，每條源反應氣體副流道(304)的內壁面均制有向下延伸至所述噴淋板(3)下表面的多個源反應氣體副噴孔(305)。

7.一種如權利要求1至6任一所述MOCVD反應系統的使用方法，其特征在于，包括：

向所述源反應氣體流道(302)通入溫度低于所述噴淋板(3)、且由氧氣和惰性氣體構成的混合氣體，并通過調整所述惰性氣體在所述混合氣體中的占比，使得所述噴淋板(3)中部的溫度等于所述噴淋板(3)左、右兩側部的溫度。

8.一種用于MOCVD系統的噴淋板，包括：

相互背離的上表面和下表面，以及

自所述上表面貫通延伸至所述下表面的多個有機源氣體噴孔(301)；

其特征在于，所述噴淋板(3)內制有位于該噴淋板的寬度中部并且沿著該噴淋板的長度方向延伸的源反應氣體流道(302)，所述源反應氣體流道(302)的內壁面均制有向下延伸至所述噴淋板(3)下表面的多個源反應氣體噴孔(303)。

9.根據權利要求8所述的噴淋板，其特征在于，所述噴淋板(3)上固定連接位于所述多個源反應氣體噴孔(303)下方的導流板(4)。

10.根據權利要求8所述的噴淋板，其特征在于，所述噴淋板(3)內還制有分別位于所述源反應氣體流道(302)徑向兩側的兩條源反應氣體副流道(304)，每條源反應氣體副流道(304)的內壁面均制有向下延伸至所述噴淋板(3)下表面的多個源反應氣體副噴孔(305)。