[發明專利]一種反熔絲一次性可編程存儲單元

在審

• 申請號: 202011091079.5
• 申請日: 2020-10-13
• 公開（公告）號: CN112234062A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 李立;王志剛
• 申請（專利權）人: 珠海創飛芯科技有限公司
• 主分類號: H01L27/112
• 分類號: H01L27/112
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力

1.一種反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，包括：

一種襯底；

在所述襯底上形成的選擇晶體管：

形成于所述襯底上的第一柵極介電層；

形成于所述柵極介電層上的第一柵極；

第一高壓結，形成在所述襯底中；

以及第二高壓結，形成在所述襯底中，

其中，所述選擇晶體管的源極和漏極由所述第一高壓結和所述第二高壓結形成；以及

反熔絲電容器，所述反熔絲電容器形成在所述襯底上，：

形成于所述襯底上的第二柵極介電層，形成于所述柵極介電層上的第二柵極；

形成于所述襯底中的第三高電壓結；以及形成于所述襯底中的第四高電壓結，

其中所述反熔絲電容器的源極和漏極分別由所述第三高電壓結和所述第四高電壓結形成。

2.根據權利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述反熔絲電容器的所述第三高電壓結和所述第四高電壓結由所述襯底中的溝道隔開。

3.根據權利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述反熔絲電容器的所述第三高電壓結和所述第四高電壓結電連接。

4.根據權利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述第一高壓結或所述第二高壓結或所述第三高壓結或所述第四高壓結具有高于3.3伏的閾值結擊穿電壓。

5.根據權利要求4所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述第一高壓結或所述第二高壓結或所述第三高壓結或所述第四高壓結具有高于5伏的閾值結擊穿電壓。

6.根據權利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述第二高壓結和所述第三高壓結電連接。

7.根據權利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述第一高電壓結包括在比遠離第一柵極介電層的第二摻雜區更低的摻雜水平下與第一柵極介電層相鄰的第一摻雜區。

8.如權利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，所述第二高壓結包括與所述第二柵極介電層相鄰的第一摻雜區，所述第一摻雜區在比遠離所述第二柵極介電層的第二摻雜區低的摻雜水平下鄰近所述第二柵極介電層。

9.如權利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，所述第三高電壓結包括與所述第一柵極介電層相鄰的第一摻雜區，所述第一摻雜區在比遠離所述第一柵極介電層的第二摻雜區低的摻雜水平下鄰近所述第一柵極介電層。

10.根據權利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述第四高電壓結包括在比遠離所述第二柵極介電層的第二摻雜區低的摻雜水平下與所述第二柵極介電層相鄰的第一摻雜區。

11.一種反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，包括：

襯底；

在所述襯底上形成的選擇晶體管，：

形成于所述襯底上的第一柵極介電層；形成于所述柵極介電層上的第一柵極；

第一低壓結，形成在所述襯底中；以及第二低壓結，形成在所述襯底中，

其中所述選擇晶體管的源極和漏極由所述第一低電壓結和所述第二低電壓結形成；以及反熔絲電容器，所述反熔絲電容器形成在所述襯底上，：

形成于所述襯底上的第二柵極介電層；形成于所述柵極介電層上的第二柵極；

第一高壓結，形成在所述襯底中；以及第二高壓結，形成在所述襯底中，

其中所述反熔絲電容器的源極和漏極分別由所述第一高壓結和所述第二高壓結形成。

12.根據權利要求11所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述反熔絲電容器的所述第一高壓結和所述第二高壓結由所述襯底中的溝道隔開。