[發(fā)明專利]低阿爾法BGA錫球的制備方法以及BGA錫球在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011090589.0 | 申請日： | 2020-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN112192086A | 公開（公告）日： | 2021-01-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林文良;吳華豐;袁鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 重慶群崴電子材料有限公司 |
| 主分類號： | B23K35/26 | 分類號： | B23K35/26;B23K35/40;B23K35/14 |
| 代理公司： | 深圳市鼎智專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44411 | 代理人： | 黃曉玲 |
| 地址： | 408000 重*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 阿爾法 bga 制備 方法 以及 錫球 | ||
1.一種低阿爾法BGA錫球的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
S10：提供制備所述BGA錫球所需的多種低純度的單質(zhì)釬料；
S20：去除每一所述單質(zhì)釬料中的雜質(zhì)以對所述單質(zhì)釬料進行提純，具體包括：
S21：將所述單質(zhì)釬料分別預(yù)先進行真空蒸餾，包括：
將盛放有所述單質(zhì)釬料的坩堝放入至真空爐內(nèi)，真空爐密封并保證爐內(nèi)的壓力達到一定值；
升溫到T1并保溫一定時間，所述T1的值小于所述單質(zhì)釬料和主要雜質(zhì)中沸點較小的那一個的沸點值；
保溫結(jié)束后，取出揮發(fā)物和殘留物，得到初步提純的所述單質(zhì)釬料；
S22：將初步提純的所述單質(zhì)釬料進行區(qū)域熔煉，包括：
將所述單質(zhì)釬料放入至區(qū)域熔煉爐內(nèi)并通入保護氣；
打開加熱系統(tǒng)以輸出高功率，設(shè)置于頭端的加熱線圈使得所述單質(zhì)釬料融化；
降低所述加熱系統(tǒng)的輸出功率，將加熱線圈從頭端移動到尾端進而對所述單質(zhì)釬料區(qū)域熔煉；
當(dāng)完成一次區(qū)域熔煉后，將加熱線圈重新移動到所述單質(zhì)釬料的頭端，冷卻后，再重復(fù)上一步驟；
區(qū)域熔煉次數(shù)達到設(shè)定次數(shù)后得到提純后的單質(zhì)釬料；
S30：將多種提純后的所述單質(zhì)釬料合金化后制備所述低阿爾法BGA錫球。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低阿爾法BGA錫球的制備方法，其特征在于，所述T1的值為所述單質(zhì)釬料和主要雜質(zhì)中較小沸點的那一個的沸點值的80-95％。
3.一種低阿爾法BGA錫球，其采用如權(quán)利要求1或2所述的制備方法制得。
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