[發(fā)明專利]一種反熔絲一次性可編程存儲單元

在審

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• 申請日: 2020-10-13
• 公開（公告）號: CN112635468A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李立;王志剛
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司
• 主分類號: H01L27/112
• 分類號: H01L27/112
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力

1.一種反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，包括：

基板；

混合選擇晶體管，所述混合選擇晶體管形成在所述基板上：

形成于所述基板上的第一柵極介電層，其中所述第一柵極介電層薄于40nm，所述第一柵極介電層啟用低電壓選擇晶體管裝置；

形成在所述柵極介電層上的第一柵極；

形成在所述基板中的第一高壓結(jié)；以及

形成于所述基板中的低電壓結(jié)，

其中，所述選擇晶體管的源極和漏極由所述第一高電壓結(jié)和所述低電壓結(jié)形成；以及

在所述基板上形成的混合反熔絲電容器：

第二柵極介電層，所述第二柵極介電層形成于所述基板上，其中所述第二柵極介電層薄于40nm，所述第二柵極介電層啟用低電壓反熔絲電容器裝置；

形成在所述柵極介電層上的第二柵極；

第二高壓結(jié)，形成在所述基板中；以及

形成于所述基板中的第三高電壓結(jié)，

其中所述反熔絲電容器的源極和漏極分別由所述第二高電壓結(jié)和所述第三高電壓結(jié)形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述反熔絲電容器的所述第二高壓結(jié)和所述第三高壓結(jié)由所述基板中的溝道隔開。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述反熔絲電容器的所述第二高壓結(jié)和所述第三高壓結(jié)電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述第一柵極介電層或所述第二柵極介電層薄于30nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述混合選擇晶體管是在3.3v或以下操作的低電壓裝置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述混合反熔絲電容器是在3.3v或以下操作的低電壓裝置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述第一高電壓結(jié)或所述第二高電壓結(jié)或所述第三高電壓結(jié)具有高于3.3伏的閾值結(jié)擊穿電壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述第一高壓結(jié)或所述第二高壓結(jié)或所述第三高電壓結(jié)具有高于5伏的閾值結(jié)擊穿電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述第二高電壓結(jié)和所述第三高電壓結(jié)電連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述低電壓結(jié)包括在比遠(yuǎn)離所述第一柵極介電層的第二摻雜區(qū)低的摻雜水平下與所述第一柵極介電層相鄰的第一摻雜區(qū)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述第一高電壓結(jié)包括在比遠(yuǎn)離所述第一柵極電介質(zhì)層的第二摻雜區(qū)低的摻雜水平下與所述第一柵極電介質(zhì)層相鄰的第一摻雜區(qū)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述第一高電壓結(jié)具有實(shí)質(zhì)上均勻的摻雜水平。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述第二高電壓結(jié)或所述第三高電壓結(jié)包括在比遠(yuǎn)離所述第二柵極電介質(zhì)層的第二摻雜區(qū)低的摻雜水平下與所述第二柵極電介質(zhì)層相鄰的第一摻雜區(qū)。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲一次性可編程存儲單元，其特征在于，其中所述第二高電壓結(jié)或所述第三高電壓結(jié)具有實(shí)質(zhì)上均勻的摻雜水平。