[發明專利]一種非易失靜態存儲單元、控制方法、元器件及設備

在審

• 申請號: 202011090015.3
• 申請日: 2020-10-13
• 公開（公告）號: CN112382320A
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 楊建國;劉超;呂杭炳;劉明
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C11/22
• 分類號: G11C11/22;G11C16/24
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

1.一種非易失靜態存儲單元，其特征在于，所述存儲單元包括：

非易失存儲模塊，所述非易失存儲模塊包括：開關元器件和鐵電存儲器；所述鐵電存儲器一端與所述開關元器件連接，另一端與控制線連接；

靜態存儲模塊，所述靜態存儲模塊的存儲節點與所述鐵電存儲器之間通過所述開關元器件連接；

其中，在所述靜態存儲模塊斷電之前，所述開關元器件導通，并通過所述控制線輸入脈沖電壓將所述存儲節點的數據存儲到所述鐵電存儲器中；

在所述靜態存儲模塊上電之后，所述開關元器件導通，并通過所述控制線輸入脈沖電壓將，所述數據從所述鐵電存儲器恢復到所述存儲節點。

2.根據權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述開關元器件為MOS晶體管。

3.根據權利要求2所述的存儲單元，其特征在于，所述開關元器件的柵極與開關字線連接，源極和漏極其中一端與所述存儲節點連接，另一端與所述鐵電存儲器連接。

4.根據權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述靜態存儲模塊是6管靜態存儲器，包括：

第一上晶體管，源極與控制字線連接；

第一下晶體管，源極與所述第一上晶體管的漏極連接，漏極接地，柵極與所述第一上晶體管的柵極連接；

第二上晶體管，源極與控制字線連接；

第二下晶體管，源極與所述第二上晶體管的漏極連接，漏極接地，柵極與所述第二上晶體管的柵極連接；

第一存取晶體管，柵極與字線連接，源極與第一存儲節點連接，漏極與反位線連接；

第二存取晶體管，柵極與字線連接，源極與第二存儲節點連接，漏極與位線連接。

5.根據權利要求4所述的存儲單元，其特征在于，所述第一存儲節點與所述開關元器件連接。

6.一種控制方法，其特征在于，所述方法用于控制權利要求1-5任一所述的存儲單元，所述方法包括：

在所述靜態存儲模塊斷電之前，所述開關元器件導通，所述存儲節點的數據傳輸到所述鐵電存儲器，所述控制線輸入脈沖電壓信號，所述存儲節點的數據存儲到所述鐵電存儲器中；

在所述靜態存儲模塊上電之后，所述控制線輸入脈沖電壓信號，所述開關控制字線輸入信號，所述開關元器件導通，數據從所述鐵電存儲器恢復到所述存儲節點。

7.如權利要求6所述控制方法，其特征在于，所述脈沖電壓信號為正脈沖信號。

8.如權利要求6所述控制方法，其特征在于，所述開關控制字線輸入信號，所述開關元器件導通，包括：

所述開關元器件為NMOS晶體管，所述開關控制字線輸入高電平，所述開關元器件導通；或

所述開關元器件為PMOS晶體管，所述開關控制字線輸入低電平，所述開關元器件導通。

9.一種元器件，其特征在于，包括權利要求1-5任一所述的存儲單元。

10.一種設備，其特征在于，包括如權利要求1-5任一所述的存儲單元。