[發(fā)明專利]一種基于金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo)的微米片馬達(dá)系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011087860.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112202368A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 劉翡瓊 |
| 主分類號(hào): | H02N11/00 | 分類號(hào): | H02N11/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 710119 陜西省西安市*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 金屬 介質(zhì) 波導(dǎo) 微米 馬達(dá) 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明提供了一種基于金屬?介質(zhì)?金屬波導(dǎo)的微米片馬達(dá)系統(tǒng),包括基底、第一貴金屬層、二氧化硅層、第二貴金屬層、微米片,第一貴金屬層置于基底層上,二氧化硅層置于第一貴金屬層上,第二貴金屬層置于二氧化硅層上,第一貴金屬層、二氧化硅層、第二貴金屬層構(gòu)成金屬?介質(zhì)?金屬波導(dǎo),微米片置于金屬?介質(zhì)?金屬波導(dǎo)一端,微米片固定在第二貴金屬層的側(cè)面,微米片的下表面與二氧化硅層的上表面平齊。應(yīng)用時(shí),將脈沖激光耦合進(jìn)入金屬?介質(zhì)?金屬波導(dǎo),驅(qū)動(dòng)微米片振動(dòng)。本發(fā)明具有耦合效率高的優(yōu)點(diǎn),在微納機(jī)械、光能機(jī)械能轉(zhuǎn)化領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光驅(qū)動(dòng)微馬達(dá)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo)的微米片馬達(dá)系統(tǒng)。
背景技術(shù)
微馬達(dá)系統(tǒng)在微納機(jī)械、臨床醫(yī)學(xué)、環(huán)境治理等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。在現(xiàn)有微馬達(dá)中,多是通過(guò)超聲波或磁場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)的,限制了微馬達(dá)系統(tǒng)的應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
為解決以上問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種基于金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo)的微米片馬達(dá)系統(tǒng),包括基底、第一貴金屬層、二氧化硅層、第二貴金屬層、微米片,第一貴金屬層置于基底層上,二氧化硅層置于第一貴金屬層上,第二貴金屬層置于二氧化硅層上,第一貴金屬層、二氧化硅層、第二貴金屬層構(gòu)成金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo),微米片置于金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo)一端,微米片固定在第二貴金屬層的側(cè)面,微米片的下表面與二氧化硅層的上表面平齊;應(yīng)用時(shí),將脈沖激光耦合進(jìn)入金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo),驅(qū)動(dòng)微米片振動(dòng)。
更進(jìn)一步地,二氧化硅層的厚度小于100納米。
更進(jìn)一步地,第一貴金屬層和第二貴金屬層的材料為貴金屬。
更進(jìn)一步地,微米片的材料為貴金屬。
更進(jìn)一步地,貴金屬為金或銀。
更進(jìn)一步地,還包括二氧化硅延伸部,二氧化硅延伸部與二氧化硅層和微米片的固定端連接。
更進(jìn)一步地,在微米片固定端一側(cè),二氧化硅延伸部的厚度與二氧化硅層的厚度相同。
更進(jìn)一步地,從微米片的固定端到微米片的自由端,二氧化硅延伸部的厚度逐漸減小。
更進(jìn)一步地,脈沖激光為飛秒脈沖激光、皮秒脈沖激光或納秒脈沖激光。
本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供了一種基于金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo)的微米片馬達(dá)系統(tǒng),包括基底、第一貴金屬層、二氧化硅層、第二貴金屬層、微米片,第一貴金屬層置于基底層上,二氧化硅層置于第一貴金屬層上,第二貴金屬層置于二氧化硅層上,第一貴金屬層、二氧化硅層、第二貴金屬層構(gòu)成金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo),微米片置于金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo)一端,微米片固定在第二貴金屬層的側(cè)面,微米片的下表面與二氧化硅層的上表面平齊。應(yīng)用時(shí),將脈沖激光耦合進(jìn)入金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo),在金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo)中形成表面等離極化激元,表面等離極化激元沿金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo)傳播,然后耦合到微米片的下側(cè),在微米片的下側(cè)產(chǎn)生熱,在微米片的上下兩側(cè)形成溫度梯度,從而產(chǎn)生光熱力,從而驅(qū)動(dòng)微米片振動(dòng)。本發(fā)明將微米片置于金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo)的一側(cè),利用金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo)內(nèi)傳播的表面等離極化激元的能量驅(qū)動(dòng)微米片振動(dòng),具有耦合效率高的優(yōu)點(diǎn),在微納機(jī)械、光能機(jī)械能轉(zhuǎn)化領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。
以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
附圖說(shuō)明
圖1是一種基于金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo)的微米片馬達(dá)系統(tǒng)的示意圖。
圖2是又一種基于金屬-介質(zhì)-金屬波導(dǎo)的微米片馬達(dá)系統(tǒng)的示意圖。
圖中:1、基底;2、第一貴金屬層;3、二氧化硅層;4、第二貴金屬層;5、微米片;6、二氧化硅延伸部。
具體實(shí)施方式
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