[發明專利]一種交變磁場激勵的微馬達陣列系統在審
| 申請號： | 202011087799.4 | 申請日： | 2020-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN112260584A | 公開（公告）日： | 2021-01-22 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 劉翡瓊 |
| 主分類號： | H02N10/00 | 分類號： | H02N10/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710119 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 磁場 激勵 馬達 陣列 系統 | ||
1.一種交變磁場激勵的微馬達陣列系統，其特征在于，包括基底和微馬達層，所述微馬達層包括周期排列的微馬達單元，所述微馬達單元包括熱力部和磁熱顆粒，所述熱力部的底部固定在所述基底上，所述磁熱顆粒的個數為多個，所述磁熱顆粒固定在所述熱力部的一個側面上。
2.如權利要求1所述的交變磁場激勵的微馬達陣列系統，其特征在于：所述熱力部為薄片形，所述薄片的法線方向與所述基底的法線方向垂直。
3.如權利要求2所述的交變磁場激勵的微馬達陣列系統，其特征在于：所述周期為方形周期。
4.如權利要求3所述的交變磁場激勵的微馬達陣列系統，其特征在于：所述基底為非磁性材料。
5.如權利要求4所述的交變磁場激勵的微馬達陣列系統，其特征在于：所述熱力部為半導體材料或金剛石。
6.如權利要求5所述的交變磁場激勵的微馬達陣列系統，其特征在于：所述磁熱顆粒為四氧化三鐵顆粒。
7.如權利要求1-6任一項所述的交變磁場激勵的微馬達陣列系統，其特征在于：所述磁熱顆粒部分地嵌入所述熱力部。
8.如權利要求7所述的交變磁場激勵的微馬達陣列系統，其特征在于：距離所述基底近處，所述磁熱顆粒密；距離所述基底遠處，所述磁熱顆粒疏。
9.如權利要求8所述的交變磁場激勵的微馬達陣列系統，其特征在于：距離所述基底近處，所述磁熱顆粒嵌入的深；距離所述基底遠處，所述磁熱顆粒嵌入的淺。
10.如權利要求9所述的交變磁場激勵的微馬達陣列系統，其特征在于：距離所述基底近處，所述熱力部窄；距離所述基底遠處，所述熱力部寬。
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