[發(fā)明專利]一種含有二氧化硅的聚乙烯膜及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011087574.9
• 申請日: 2020-10-13
• 公開（公告）號: CN112018307B
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李國慶;呂志國;李航;樊鵬鵬;夏國華
• 申請（專利權(quán)）人: 河南銀金達(dá)新材料股份有限公司
• 主分類號: H01M50/403
• 分類號: H01M50/403;H01M50/446;H01M10/42;H01M10/052
• 代理公司: 新鄉(xiāng)市挺立眾創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 41192
• 代理人: 林海

1.一種含有二氧化硅的聚乙烯膜的制備方法，其特征在于：包括

原料A為聚乙烯，包括以下兩部分

A1：分子量為6.5×10⁶-8.5×10⁶的聚乙烯顆粒；

A2：密度為0.966-0.983g/cm³的聚乙烯顆粒；

原料B為石蠟油；原料C為直徑20-30nm的二氧化硅納米顆粒；原料D為4,4’-硫代雙(6-叔丁基間甲酚)；

步驟1：將上述4種原料分三批加熱混合，第一批放入原料A1與原料D及一半重量的原料B，第二批放入原料A2及另一半重量的原料B，第三批放入原料C；

步驟2：將混合完成后的漿料注入擠壓機(jī)中擠出成厚膜；

步驟3：將厚膜依次進(jìn)行縱向拉伸和橫向拉伸，拉伸比均為6-7，得到薄膜，拉伸完畢后進(jìn)行萃取；

步驟4：將薄膜傳輸至二維拉伸裝置中，將線激光光源的功率調(diào)整至標(biāo)準(zhǔn)功率，控制線激光光源和線陣CCD沿薄膜縱向同步水平移動，在移動過程中CCD獲得每一條橫向區(qū)域的透光率分布，在掃描完成后獲得整個薄膜的透光率分布，稱為標(biāo)準(zhǔn)透光率分布圖；將線激光光源的功率調(diào)整至低功率值，控制線激光光源和線陣CCD沿薄膜縱向同步水平移動，在移動過程中CCD獲得每一條橫向區(qū)域的透光率分布，在掃描完成后獲得整個薄膜的透光率分布，稱為減弱透光率分布圖；將線激光光源的功率調(diào)整至高功率值，控制線激光光源和線陣CCD沿薄膜縱向同步水平移動，在移動過程中CCD獲得每一條橫向區(qū)域的透光率分布，在掃描完成后獲得整個薄膜的透光率分布，稱為增強(qiáng)透光率分布圖；

步驟5：將上述三張圖的異常點(diǎn)進(jìn)行運(yùn)算，獲得異常點(diǎn)的分布區(qū)域，并選擇面積最小的矩形框?qū)⑵涓采w，確定拉伸區(qū)域；

步驟6：根據(jù)確定的拉伸區(qū)域，控制左移動輥、右移動輥、左上夾持輥、左下夾持輥、右上夾持輥、右下夾持輥進(jìn)行縱向拉伸，控制后側(cè)邊上夾持部、后側(cè)邊下夾持部、前側(cè)邊上夾持部、前側(cè)邊下夾持部、后側(cè)邊驅(qū)動部、前側(cè)邊驅(qū)動部進(jìn)行橫向拉伸，直至該區(qū)域無法使用矩形框覆蓋異常點(diǎn)的分布區(qū)域；

步驟7：二維拉伸完畢后冷卻成膜。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：原料A1與A2的重量比為1:1.53。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：原料A和原料B的重量比為27：43，原料C與原料A的重量比為1.3：100，原料D與原料A的重量比為0.7：100。

4.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于：低功率值為標(biāo)準(zhǔn)功率值的10%，高功率值為標(biāo)準(zhǔn)功率值的150%。

5.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于：在薄膜二維拉伸完成后，進(jìn)行薄膜油脂去除工藝。

6.一種含有二氧化硅的聚乙烯膜，其特征在于：其使用上述任一權(quán)利要求所述的方法制備。