[發明專利]一種金屬硬掩膜的制作方法和晶圓有效
| 申請號： | 202011084991.8 | 申請日： | 2020-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN112133626B | 公開（公告）日： | 2023-06-06 |
| 發明（設計）人： | 馮琪琪 | 申請（專利權）人： | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/033 | 分類號： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 張巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市雙流區中國（四川）自*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 硬掩膜 制作方法 | ||
1.一種金屬硬掩膜的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：
在晶圓襯底表面制作有機物隔離層；
在有機物隔離層上沉積金屬硬掩膜層；所述金屬硬掩膜層用于實現將器件區圖形轉移至晶圓襯底；
在器件區圖形轉移至晶圓襯底后，利用等離子體轟擊晶圓表面去除表面殘留物；
所述實現將器件區圖形轉移至晶圓襯底，具體包括：
在金屬硬掩膜層上形成具有器件區圖形的光刻膠層，并將所述器件區圖形轉移至有機物隔離層和金屬硬掩膜層；
去除所述光刻膠層后，將所述器件區圖形轉移至晶圓襯底；
去除有機物隔離層和金屬硬掩膜層；
其中，使用有機溶劑去除隔離層；表面殘留物包括通過有機溶劑去除有機物隔離層留下的殘留物。
2.根據權利要求1所述的一種金屬硬掩膜的制作方法，其特征在于：所述方法還包括：
使用溶液對晶圓襯底表面進行清洗預處理，去除包括表面顆粒和/或有機物在內的雜質。
3.根據權利要求2所述的一種金屬硬掩膜的制作方法，其特征在于：所述溶液包括氨水、稀鹽酸、磷酸、雙氧水中的一種或者多種。
4.根據權利要求1所述的一種金屬硬掩膜的制作方法，其特征在于：所述的有機物隔離層為光刻膠、聚酰亞胺、PBO。
5.根據權利要求1所述的一種金屬硬掩膜的制作方法，其特征在于：所述的在有機物隔離層上沉積金屬硬掩膜層，具體工藝溫度不超過100°C。
6.根據權利要求1所述的一種金屬硬掩膜的制作方法，其特征在于：所述金屬硬掩膜層的材料為Ni、Ti、Au、Al、W及其合金。
7.一種晶圓，其特征在于：采用如權利要求1~6中任意一項所述的方法制作。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
