[發(fā)明專(zhuān)利]電致發(fā)光器件及顯示面板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011084554.6
• 申請(qǐng)日: 2020-10-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112259689A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳黎暄;楊一行
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/50
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 何志軍

1.一種電致發(fā)光器件，其特征在于，包括：

第一電極，所述第一電極用于在外加電場(chǎng)的作用下產(chǎn)生電子；

發(fā)光結(jié)構(gòu)層，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層設(shè)置于所述第一電極上；以及

第二電極，所述第二電極設(shè)置于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上，所述第二電極用于在外加電場(chǎng)的作用下產(chǎn)生空穴；

其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括發(fā)光層和緩沖層，所述發(fā)光層和所述緩沖層交替且層疊設(shè)置，所述發(fā)光層的數(shù)量為至少兩層，所述緩沖層用于將所述電子和所述空穴束縛在所述發(fā)光層內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的厚度小于或等于30納米。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的厚度小于20納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述緩沖層的厚度小于或等于20納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的數(shù)量為兩層，所述緩沖層的數(shù)量為一層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電致發(fā)光器件的電子遷移率等于空穴遷移率；

在所述電子的傳輸側(cè)，所述緩沖層的LUMO能級(jí)高于相鄰所述發(fā)光層的LUMO能級(jí)；在所述空穴的傳輸側(cè)，所述緩沖層的HOMO能級(jí)低于相鄰所述發(fā)光層的HOMO能級(jí)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電致發(fā)光器件的電子遷移率高于空穴遷移率；

在所述電子的傳輸側(cè)，所述緩沖層的LUMO能級(jí)高于相鄰所述發(fā)光層的LUMO能級(jí)；在所述空穴的傳輸側(cè)，所述緩沖層的HOMO能級(jí)高于相鄰所述發(fā)光層的HOMO能級(jí)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電致發(fā)光器件的空穴遷移率高于電子遷移率；

在所述電子的傳輸側(cè)，所述緩沖層的LUMO能級(jí)低于相鄰所述發(fā)光層的LUMO能級(jí)；在所述空穴的傳輸側(cè)，所述緩沖層的HOMO能級(jí)低于相鄰所述發(fā)光層的HOMO能級(jí)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電致發(fā)光器件還包括電子傳輸層和空穴傳輸層，所述電子傳輸層設(shè)置在所述第一電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層之間，所述空穴傳輸層設(shè)置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層和所述第二電極之間。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的電致發(fā)光器件。