[發明專利]一種三維存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 202011084082.4
• 申請日: 2020-10-12
• 公開（公告）號: CN112331664B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 陳赫
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

1.一種三維存儲器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一襯底，形成堆疊結構于所述襯底上，所述堆疊結構包括在垂直方向上交替堆疊的第一電介質層與第二電介質層；

形成在垂直方向上貫穿所述堆疊結構的多個溝道結構及多個環形阻擋結構，所述堆疊結構被所述環形阻擋結構圍繞的部分作為支架結構；

形成在垂直方向上貫穿所述堆疊結構的柵線縫隙，所述柵線縫隙與所述環形阻擋結構的外側壁相接；

經由所述柵線縫隙去除預設區域的所述第二電介質層，得到多條橫向縫隙，并形成導電層于所述橫向縫隙中，所述第二電介質層位于所述支架結構中的部分未被去除；

形成多個浮置觸點結構，至少一所述浮置觸點結構在垂直方向上貫穿所述支架結構，所述浮置觸點結構不與電性結構連接，所述浮置觸點結構的作用包括作為氫擴散的通道。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于：還包括形成在垂直方向上貫穿所述堆疊結構的虛設溝道孔，并在所述虛設溝道孔中填充絕緣介質的步驟。

3.根據權利要求2所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于：所述虛設溝道孔包括位于所述三維存儲器的空閑區域的第一虛設溝道孔，至少一所述浮置觸點結構位于所述第一虛設溝道孔中，并在垂直方向上貫穿所述絕緣介質。

4.根據權利要求2所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于：所述虛設溝道孔包括位于所述三維存儲器的頂部選擇柵切口所在區域的第二虛設溝道孔。

5.根據權利要求4所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于：至少一所述浮置觸點結構位于所述第二虛設溝道孔中，并在垂直方向上貫穿所述絕緣介質。

6.根據權利要求1所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于：還包括減薄所述襯底，并形成多個連接觸點結構的步驟，所述連接觸點結構在垂直方向上貫穿所述襯底，且至少一所述連接觸點結構與所述浮置觸點結構接觸。

7.根據權利要求6所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于：還包括依次形成互連層及含氫氮化硅層于所述襯底背面的步驟，與所述浮置觸點結構接觸的所述連接觸點結構不與所述互連層電連接。

8.根據權利要求7所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于：所述溝道結構包括多晶硅溝道層，還包括進行加熱處理，使得所述含氫氮化硅層中的氫擴散進入所述多晶硅溝道層中的步驟。

9.根據權利要求1所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于：還包括刻蝕所述堆疊結構預設區域以得到階梯結構的步驟。

10.根據權利要求9所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于：還包括在所述堆疊結構具有所述階梯結構的區域形成柵極觸點的步驟，所述柵極觸點與所述導電層連接。

11.根據權利要求1所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于：還包括提供一器件片，并將所述器件片鍵合于所述堆疊結構正面的步驟，所述浮置觸點結構朝向所述器件片的一端不形成導電接觸。

12.根據權利要求1所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于：所述浮置觸點結構的材質包括鎢、鈦、鉭、鋁、氮化鎢、氮化鈦、氮化鉭及金屬合金中的任意一種或其任意組合。