[發明專利]含有硼/硫(硒、碲)雜化稠環單元的發光高分子及其電致發光器件

有效

• 申請號: 202011083913.6
• 申請日: 2020-10-12
• 公開（公告）號: CN112225837B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 王利祥;邵世洋;陳凡;趙磊;王淑萌;王興東;呂劍虹
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春應用化學研究所
• 主分類號: C08F112/14
• 分類號: C08F112/14;C08F212/08;C08F212/14;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王洋

1.一種含有硼/硫、硼/硒或硼/碲雜化稠環單元的發光高分子化合物，具有式(I)、式(Ⅱ)或式(Ⅲ)所示結構：

其中，x為0.001～0.999，y為0.001～0.999，n為2～9999之間的整數；

為S-1～S-6結構中的一種：

其中B、S、Se和Te分別為硼、硫、硒和碲原子，X和Y各自獨立的選自氧、硫、硒或碲原子；

和各自獨立的選自如下A1～A4、B1～B46所示基團，并通過所述基團上的任意碳碳雙鍵的兩個碳原子分別與S、Se、Te、X、Y中的任意一種元素以及B進行連接；

R_a、R_b、R_c、L₁、L₂和L₃各自獨立的選自H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂、取代或非取代的C1～C22的直鏈烴基、取代或非取代的C1～C22的支鏈烴基、取代或非取代的C1～C22的鹵代烷烴基、取代或非取代的C1～C22的環烷基、取代或非取代的C1～C22的烷氧基，取代或非取代的C1～C22的烷硫基，C5～C60芳基或C5～C60雜芳基；所述R¹和R²分別獨立的選自取代或非取代的C1～C22的直鏈烴基、取代或非取代的C1～C22的支鏈烴基、取代或非取代的C1～C22的鹵代烷烴基、取代或非取代的C1～C22的環烷基、取代或非取代的C1～C22的烷氧基、取代或非取代的C1～C22的烷硫基、C6～C60芳基或C6～C60雜芳基；

m,n和p分別為R_a、R_b和R_c的數目，為0～20的整數；

獨立的選自C6～C60的芳香單元或C6～C60的芳香稠環單元，含N、O、S、Se原子的雜芳基空穴傳輸單元或含N、P、B、Si、Ge、的雜芳基電子傳輸單元；

當式(II)中為含N、O、S、Se原子的雜芳基空穴傳輸單元時，和不同時為苯環。

2.根據權利要求1所述的化合物，其特征在于，所述雜芳基的雜原子獨立地選自Si、Ge、N、P、O、S或Se，且碳原子和雜原子的總數≥6；

所述芳基選自單環芳基，或多個芳基以單鍵、-C-C-、-C＝C-、-C＝N-、-C＝P-、-C≡C-、-O-、-S-、-C(CH₃)₂-、中的任意一種或多種連接在一起形成的組合；所述雜芳基選自單環雜芳基，或者選自雜芳基之間，或芳基與雜芳基之間以單鍵、-C-C-、-C＝C-、-C＝N-、-C＝P-、-C≡C-、-O-、-S-、-C(CH₃)₂-、中的任意一種或多種連接在一起形成的組合。