[發明專利]三維存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 202011083907.0
• 申請日: 2020-10-12
• 公開（公告）號: CN112259539B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 陳亮
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11531;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

襯底，包括第一區域，以及所述第一區域外圍的第二區域；

陣列結構，位于所述襯底的所述第一區域上方；

電容結構，位于所述第二區域中，且包括：

介質層，位于所述襯底的所述第二區域之上；

第一電極層，位于部分所述介質層上；

絕緣層，位于所述第一電極層上；

第一導電結構，垂直延伸于所述絕緣層，并與所述第一電極層相接觸；

第二導電結構，垂直延伸于所述絕緣層與所述介質層，且位于所述第一電極層外圍，并與所述襯底相接觸。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述介質層的厚度為

3.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述介質層為氧化物層，材料為氧化硅。

4.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，多個所述第二導電結構位于多個所述第一導電結構外圍。

5.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述電容結構還包括：

位于所述第一電極層之上的至少一層ON堆疊層；以及

第三導電結構與第四導電結構，垂直延伸于所述絕緣層并與所述ON堆疊層相接觸。

6.根據權利要求5所述的三維存儲器，其特征在于，多個所述第三導電結構與多個所述第四導電結構交替間隔設置。

7.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括：

隔離結構，沿垂直方向穿過所述襯底，且位于所述第二導電結構外圍,以隔離所述襯底中對應于所述電容結構的部位與其它部位。

8.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一電極層的材料包括多晶硅或鎢。

9.一種三維存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括第一區域，以及所述第一區域外圍的第二區域；

在所述襯底上形成介質層；

在所述介質層上形成第一電極層；

去除對應于所述第一區域上方的所述第一電極層，保留至少部分對應于所述第二區域上方的所述第一電極層；

在所述介質層上形成陣列結構，且位于所述第一區域上方；

在所述第一電極層上形成絕緣層；

形成第一導電結構，垂直延伸于所述絕緣層，并與所述第一電極層相接觸；

形成第二導電結構，垂直延伸于所述絕緣層與所述介質層，且位于所述第一電極層外圍，并與所述襯底相接觸，以形成電容結構。

10.根據權利要求9所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述介質層的厚度為

11.根據權利要求9所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述介質層為氧化物層，材料為氧化硅。

12.根據權利要求9所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，多個所述第二導電結構形成于多個所述第一導電結構外圍。

13.根據權利要求9所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述在所述介質層上形成陣列結構，且位于所述第一區域上方的步驟，還包括：

在所述第一電極層上形成至少一層ON堆疊層。

14.根據權利要求13所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，在形成多個所述第一導電結構與多個所述第二導電結構的同時，形成第三導電結構與第四導電結構，并垂直延伸于所述絕緣層并與所述ON堆疊層相接觸。

15.根據權利要求14所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，多個所述第三導電結構與多個所述第四導電結構交替間隔設置。