[發(fā)明專利]電子傳輸材料及制備方法、光電器件及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011083082.2
• 申請日: 2020-10-12
• 公開（公告）號: CN114335397A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何斯納;吳龍佳;吳勁衡
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 曹柳

1.一種電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將鈦源、稀土金屬源和硫源溶解后，進行水熱反應，得到摻雜有稀土金屬的TiS₂納米材料；

在氫氣氣氛下，對所述摻雜有稀土金屬的TiS₂納米材料進行加熱反應，得到摻雜有稀土金屬和氫原子的TiS₂電子傳輸材料。

2.如權(quán)利要求1所述的電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，所述鈦源與所述稀土金屬源的摩爾比為1：(0.1～0.3)；

和/或，所述鈦源和所述稀土金屬源的總摩爾量與所述硫源的摩爾量之比為1：(2～2.5)。

3.如權(quán)利要求1～2任一所述的電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，所述氫氣氣氛包括體積比為(5～10)：(90～95)的氫氣和惰性氣體；

和/或，所述加熱反應的條件包括：在所述氫氣氣氛的流速為40～100ml/min，溫度為250℃～350℃的條件下反應1～2小時。

4.如權(quán)利要求3所述的電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，所述稀土金屬源包括：鈰源、鋱源、鐠源、鏑源中的至少一種；

和/或，所述鈦源包括：醋酸鈦、硝酸鈦、氯化鈦、硫酸鈦中的至少一種；

和/或，所述硫源包括：硫化鈉、硫化鉀、硫脲、硫化胺中的至少一種；

和/或，所述惰性氣體包括：氬氣和/或氦氣。

5.如權(quán)利要求4所述的電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，所述鈰源包括：醋酸鈰、硝酸鈰、氯化鈰、硫酸鈰中的至少一種；

和/或，所述鋱源包括：硝酸鋱、氯化鋱、硫酸鋱中的至少一種；

和/或，所述鐠源包括：硝酸鐠、氯化鐠、硫酸鐠中的至少一種；

和/或，所述鏑源包括：硝酸鏑、氯化鏑、硫酸鏑中的至少一種。

6.如權(quán)利要求1～2、4或5任一所述的電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，所述水熱反應的條件包括：在溫度為200℃～250℃的條件下反應20～24小時。

7.一種電子傳輸材料，其特征在于，所述電子傳輸材料包括TiS₂納米材料，在所述TiS₂納米材料中摻雜有稀土金屬和氫原子。

8.如權(quán)利要求7所述的電子傳輸材料，其特征在于，所述電子傳輸材料中，稀土元素與鈦元素的摩爾比為(0.1～0.3)：1；

和/或，所述電子傳輸材料中，TiS₂中5％～20％的S原子被氫原子取代。

9.如權(quán)利要求7所述的電子傳輸材料，其特征在于，所述稀土金屬包括：鈰、鋱、鐠、鏑中的至少一種；

和/或，所述電子傳輸材料的粒徑為5納米～15納米。

10.一種光電器件，其特征在于，所述光電器件包括電子傳輸層，所述電子傳輸層包含如權(quán)利要求1～6任一所述方法制備的電子傳輸材料，或者包含如權(quán)利要求7～9任一所述的電子傳輸材料。

11.一種光電器件的制備方法，其特征在于，其中電子傳輸層的制備包括步驟：

按如權(quán)利要求1～6任一所述的方法制備電子傳輸材料；

將所述電子傳輸材料沉積在發(fā)光層和/或陰極表面，得到電子傳輸層。